Статические озу. Статическая память

Большинство из применяемых в настоящее время типов микросхем оперативной памяти не в состоянии сохранять данные без внешнего источника энергии, т.е. являются энергозависимыми (volatile memory). Широкое распространение таких устройств связано с рядом их достоинств по сравнению с энергонезависимыми типами ОЗУ (non-volatile memory): большей емкостью, низким энергопотреблением, более высоким быстродействием и невысокой себестоимостью хранения единицы информации.

Энергозависимые ОЗУ можно подразделить на две основные подгруппы: динамическую память (DRAM - Dynamic Random Access Memory) и статическую память (SRAM - Static Random Access Memory).

Статическая и динамическая оперативная память

В статических ОЗУ запоминающий элемент может хранить записанную информацию неограниченно долго (при наличии питающего напряжения). Запоминающий элемент динамического ОЗУ способен хранить информацию только в течение достаточно короткого промежутка времени, после которого информацию нужно восстанавливать заново, иначе она будет потеряна. Динамические ЗУ, как и статические, энергозависимы.

Роль запоминающего элемента в статическом ОЗУ исполняет триггер. Такой триггер представляет собой схему с двумя устойчивыми состояниями, обычно состоящую из четырех или шести транзисторов (рис. 5.7). Схема с четырьмя транзисторами обеспечивает большую емкость микросхемы, а следовательно, меньшую стоимость, однако у такой схемы большой ток утечки, когда информация просто хранится. Также триггер на четырех транзисторах более чувствителен к воздействию внешних источников излучения, которые могут стать причиной потери информации. Наличие двух дополнительных транзисторов позволяет в какой-то мере компенсировать упомянутые недостатки схемы на четырех транзисторах, но, главное - увеличить быстродействие памяти.

Рис. 5.7. Запоминающий элемент статического ОЗУ

Запоминающий элемент динамической памяти значительно проще. Он состоит из одного конденсатора и запирающего транзистора (рис. 5.8).

Рис. 5.8. Запоминающий элемент динамического ОЗУ

Наличие или отсутствие заряда в конденсаторе интерпретируются как 1 или 0 соответственно. Простота схемы позволяет достичь высокой плотности размещения ЗЭ и, в итоге, снизить стоимость. Главный недостаток подобной технологии связан с тем, что накапливаемый на конденсаторе заряд со временем теряется. Даже при хорошем диэлектрике с электрическим сопротивлением в несколько тераом (10 12 Ом) используемом при изготовлении элементарных конденсаторов ЗЭ, заряд теряется достаточно быстро. Размеры у такого конденсатора микроскопические, а емкость имеет порядок 1СГ 15 Ф. При такой емкости на одном конденсаторе накапливается всего около 40 000 электронов. Среднее время утечки заряда ЗЭ динамической памяти составляет сотни или даже десятки миллисекунд, поэтому заряд необходимо успеть восстановить в течение данного отрезка времени, иначе хранящаяся информация будет утеряна. Периодическое восстановление заряда ЗЭ называется регенерацией и осуществляется каждые 2-8 мс,

В различных типах ИМС динамической памяти нашли применение три основных метода регенерации:

Одним сигналом RAS (ROR - RAS Only Refresh);

Сигналом CAS, предваряющим сигнал RAS (CBR - CAS Before RAS);

Автоматическая регенерация (SR - Self Refresh).

Регенерация одним RAS использовалась еще в первых микросхемах DRAM. На шину адреса выдается адрес регенерируемой строки, сопровождаемый сигналом RAS. При этом выбирается строка ячеек и хранящиеся там данные поступают на внутренние цепи микросхемы, после чего записываются обратно. Так как сигнал CAS не появляется, цикл чтения/записи не начинается. В следующий раз на шину адреса подается адрес следующей строки и т. д., пока не восстановятся все ячейки, после чего цикл повторяется. К недостаткам метода можно отнести занятость шины адреса в момент регенерации, когда доступ к другим устройствам ВМ блокирован.

Особенность метода CBR в том, что если в обычном цикле чтения/записи сигнал RAS всегда предшествует сигналу CAS, то при появлении сигнала CAS первым начинается специальный цикл регенерации. В этом случае адрес строки не передается, а микросхема использует свой внутренний счетчик, содержимое которого увеличивается на единицу при каждом очередном CBR-цикле. Режим позволяет регенерировать память, не занимая шину адреса, то есть более эффективен.

Автоматическая регенерация памяти связана с энергосбережением, когда система переходит в режим «сна» и тактовый генератор перестает работать. При отсутствии внешних сигналов RAS и CAS обновление содержимого памяти методами ROR или CBR невозможно, и микросхема производит регенерацию самостоятельно, запуская собственный генератор, который тактирует внутренние цепи регенерации.

Область применения статической и динамической памяти определяется скоростью и стоимостью. Главным преимуществом SRAM является более высокое быстродействие (примерно на порядок выше, чем у DRAM). Быстрая синхронная SRAM может работать со временем доступа к информации, равным времени одного тактового импульса процессора. Однако из-за малой емкости микросхем и высокой стоимости применение статической памяти, как правило, ограничено относительно небольшой по емкости кэш-памятью первого (L1), второго (L2) или третьего (L3) уровней. В то же время самые быстрые микросхемы динамической памяти на чтение первого байта пакета все еще требуют от пяти до десяти тактов процессора, что замедляет работу всей ВМ. Тем не менее благодаря высокой плотности упаковки ЗЭ и низкой стоимости именно DRAM используется при построении основной памяти ВМ.

"Научно-технические статьи" - подборка научно-технических статей радиоэлектронной тематики: новинки электронных компонентов , научные разработки в области радиотехники и электроники , статьи по истории развития радиотехники и электроники , новые технологии и методы построения и разработки радиоэлектронных устройств, перспективные технологии будущего, аспекты и динамика развития всех направлений радиотехники и электроники , обзоры выставок радиоэлектронной тематики.

Компания АМIС Technology уже достаточно известна на российском рынке микросхем памяти. Будучи последователем знаменитой UMC Group, компания AMIC Technology продолжает идти "на гребне волны" в производстве полного спектра продукции памяти. Что же касается применения микросхем памяти, то говорить об этом много нет смысла - она применяется везде. И если с постоянной памятью все более или менее понятно, то выбор оперативной памяти является довольно сложной задачей. Сколько существует микросхемотехника, столько же существует вопрос, что лучше - медленная, трудноуправляемая, но дешевая динамическая память, либо быстрая, напрямую сопрягаемая с процессором, но дорогая статическая память? Возможно, теперь есть компромиссное решение.

Принципы работы статической памяти

Статическая память называется статической именно потому, что информация в ней "статична", то есть, что я туда положил, то я оттуда и возьму через любой промежуток времени. Такая статичность достигается за счет использования в качестве базового элемента обычного триггера, собранного, например, на паре транзисторов.

P-N переходы транзисторов, на которые поданы постоянные смещения, надежно держат разность потенциалов, либо питание, либо землю (без учета падения напряжения на самом переходе), и возможно лишь два стабильных состояния, условно называемые "0" и "1". Располагаются транзисторы на кремниевой подложке, внутри которой формируются P-N переходы.

Таким образом, простейшим статическим элементом памяти емкостью 1 бит можно считать триггер, построенный на четырех P-N переходах. Теперь, если эти триггеры рассортировать, скажем, по 8, и на каждый из них вывести ножку дешифратора 3x8, то получится простейшая ячейка памяти емкостью 1 байт, которую уже можно адресовать, подав соответствующее значение на дешифратор. Выстроив линейку из таких дешифраторов, и применив к ней дешифратор более высокого порядка, мы уже получим полноценную микросхему статической памяти. Скорость выборки данных из статической памяти будет определяться лишь временем переходного процесса в полупроводниках, а скорость эта довольно большая. Поэтому время доступа к статической памяти исчисляется единицами наносекунд. Что же касается энергопотребления, то оно будет определяться, в основном, током через P-N переходы. Ну и, наконец, наиболее привлекательной стороной статической памяти является возможность прямого сопряжения с процессором, так как адресация осуществляется напрямую по шине адреса с указанием номера (адреса) ячейки.

При всех плюсах, у статической памяти есть достаточно серьезные недостатки. Что же получится, если мы захотим сделать статическую память очень большого объема? Для этого, помимо монтажа огромного количества триггеров, нужно как-то выворачиваться с дешифратором на огромное количество выводов. Не для кого не секрет, что сложность дешифратора растет с увеличением количества адресуемых объектов. Дешифратор 1x2 выполняется на одном триггере с прямым и инверсным выходами, 2x4, уже на 4-х элементах, а попробуйте сделать дешифратор 10x1024! А это всего 1 килобит! Применяется каскадирование дешифраторов, но от этого страдает скорость. Сделать можно, конечно же, все, но за это надо платить, что и доказывается стоимостью быстрой статической памяти большого объема.

Принципы работы динамической памяти

Еще Майкл Фарадей, проводя опыты по прохождению электрического тока через конденсатор, заметил, что последний способен хранить информацию о начальных условиях. Это свойство конденсатора, или просто емкости, и используется при построении элемента динамической памяти. Рассмотрим незаряженный конденсатор, когда разность потенциалов между его клеммами равна нулю. Приложим на некоторое время к конденсатору напряжение, равное напряжению питания. А что значит "некоторое время"? А это такое время, за которое заряд успеет перетечь с входных клемм на обкладки конденсатора. По истечению этого времени отключим конденсатор от нашего источника. Теоретически этот конденсатор будет хранить наше напряжение бесконечно долго, таким образом становясь подобным триггеру на двух транзисторах.

Все это было бы хорошо, если бы не реальная жизнь. В качестве диэлектрика используется оксидная пленка какого-нибудь металла (скажем, алюминия). Эта диэлектрическая пленка обладает хоть и малой, но проводимостью, а следовательно, конденсатор начинает разряжаться через эту оксидную пленку, тем самым выделяя на ней тепло и теряя информацию. Как только напряжение на емкости достигает минимально допустимого значения, мы вновь подключаем к конденсатору наше напряжение питания и вновь заряжаем его, после чего отводим клеммы. Вот эта процедура и есть всем известная и ненавистная процедура регенерации динамической памяти, которую каждый определенный промежуток времени проводит контроллер динамической памяти.

Для адресации динамической памяти используются не прямые адресные сигналы процессора, а адресные сигналы процессора, пропущенные через контроллер динамической памяти и еще сигналы CAS и RAS, вырабатываемые контроллером. Динамическая память имеет матричный принцип строения, и сигнал CAS стробирует выборку колонки, а сигнал RAS стробирует выборку ряда в этой колонке. Без сигналов CAS и RAS динамическая память становится бесполезной, так как способна хранить информацию без регенерации всего в течение нескольких микросекунд. На первый взгляд, в динамической памяти все плохо: и использование внешнего контроллера, и сложность управления. Но есть и значительные плюсы. Выполнить матрицу конденсаторов значительно проще, чем матрицу триггеров, достаточно "вставить" диэлектрики в нужных местах, а значит, динамическая память будет значительно дешевле статической. При необходимости создания динамической памяти большого объема тоже нет проблем, надо "вставить" диэлектрики чаще и быстрее проводить регенерацию. Поэтому динамическая память и получила большее распространение, чем статическая.

Динамическое ядро + статический интерфейс = SuperRAM

Когда-нибудь все мечты становятся реальностью. Мечтал человек получить динамическую память со статическим интерфейсом - и получил SuperRAM от AMIC Technology. Идея здесь предельно проста. Если для управления динамической памятью требуется дополнительный контроллер, то почему бы не встроить его в саму микросхему памяти. У читателя резонно возникнет вопрос: зачем это нужно? Ведь в современных микропроцессорах и микроконтроллерах есть интерфейсы динамической памяти? Отвечаю: да, вы правы, но микроконтроллеры, имеющие этот интерфейс, резко выделяются ценой, естественно в большую сторону. Далее, в подавляющем большинстве случаев это 32-разрядные процессоры, работающие с большой тактовой частотой, и применение к ним динамической памяти по меньшей мере нецелесообразно (если, конечно, не требуется больших объемов). Третье: большинство приложений до сих пор остались восьми-и шестнадцатиразрядными, где и контроллера DRAM нет, и быстродействие соответствующее, а вот объемы памяти зачастую требуются очень даже значительные. Вот именно для таких применений и существует SuperRAM от компании AMIC Technology.

Работа подобной памяти достаточно проста. Процедура регенерации динамического ядра SuperRAM происходит автоматически по истечению определенного времени (когда значения напряжения на емкостях упадут ниже критических), и стробирование происходит постоянно. При запросе процессором определенной ячейки адрес ее приходит на входной буфер микросхемы SuperRAM. И дальше, с первым же сигналом стробирова-ния отправляется к ядру SuperRAM, из которого и происходит выборка значений. Для процессора не имеет значения, что к нему подключена динамическая память, он работает с ней как с менее быстрой статической. Преимущества SuperRAM налицо: прямое сопряжение с совершенно любым процессором или устройством, у которого есть шина данных, адреса и сигналы выбора и записи, не требуется подключения дополнительного контроллера, осуществляющего регенерацию, большой объем за счет присутствия динамического ядра, низкая стоимость. Для примера приведем технические характеристики одного из последних представителей семейства SuperRAM от AMIC Technology - микросхемы A64E16161:

Объем: 32 Мбит, организованных 2 Мх 16 бит.
Время доступа по адресу: 70 нс.
Время доступа к странице: 25 нс.
Рабочий ток 20 мА, ток режима standby 10 мкА.
Полная совместимость с интерфейсом SRAM. Не требуется регенерации или стробирования.
Напряжение питания от 1,65 до 2,2 В.

Будущее SuperRAM

Сказать, что у подобного решения есть будущее - это ничего не сказать. Сейчас компания AMIC Technology достигла рубежа 32 Мбит, но не намерена на этом останавливаться. Уже в начале 2004 года, используя технологию 0,13 мкм, планируется начать серийное производство микросхем серии SuperRAM емкостью 64 Мбит. Время доступа также будет существенно уменьшено, а питание 2,0 В для микросхем памяти является одной из передовых возможностей. По своим возможностям и по стоимости такие продукты могут создать конкуренцию уже имеющимся модулям памяти, таким как SIMM, DIMM, SDRAM и даже DDR, что является немаловажным при проектировании систем нового поколения.

Статическая память (SRAM) обычно применяется в качестве кэш-памяти второго уровня для кэширования основного объема ОЗУ. Статическая память выполняется обычно на основе ТТЛ-. КМОП- или БиКМОП-микросхем и по способу доступа к данным может быть как асинхронной, так и синхронной. Асинхронным называется доступ к данным, который можно осуществлять в произвольный момент времени. Асинхронная SRAM применялась на материнских платах для третьего - пятого поколений процессоров. Время доступа к ячейкам такой памяти составляло от 15 (33 МГц) до 8 нс (66 МГц).

Синхронная память обеспечивает доступ к данным не в произвольные моменты времени, а синхронно с тактовыми импульсами. В промежутках между ними память может готовить для доступа следующую порцию данных. В большинстве материнских плат пятого поколения используется разновидность синхронной памяти - пакетно-конвейерная SRAM (Pipelined Burst SRAM), для которой типичное время одиночной операции чтения/записи составляет 3 такта, а групповая операция занимает 3-1-1-1 такта при первом обращении и 1-1-1-1 при последующих обращениях, что обеспечивает ускорение доступа более чем на 25 %.

Async SRAM (Асинхронная статическая память). Это кэш-память, которая используется в течение многих лет с тех пор, как появился первый 386-й компьютер с кэш-памятью второго уровня. Обращение к ней производится быстрее, чем к DRAM, и могут, в зависимости от скорости ЦП, использоваться варианты с доступом за 20, 15 или 10 нс (чем меньше время обращения к данным, тем быстрее память и тем короче может быть пакетный доступ к ней). Тем не менее, как видно из названия, эта память является недостаточно быстрой для синхронного доступа, что означает, что для обращения ЦП все-таки требуется ожидание, хотя и меньшее, чем при использовании DRAM.

SyncBurst SRAM (Синхронная пакетная статическая память). При частотах шины, не превышающих 66 МГц, синхронная пакетная SRAM является наиболее быстрой из существующих видов памяти. Причина этого в том, что, если ЦП работает на не слишком большой частоте, синхронная пакетная SRAM может обеспечить полностью синхронную выдачу данных, что означает отсутствие задержки при пакетном чтении ЦП 2-1-1-1. Когда частота ЦП становится больше 66 МГц, синхронная пакетная SRAM не справляется с нагрузкой и выдает данные пакетами по 3-2-2-2, что существенно медленнее, чем при использовании конвейерной пакетной SRAM. К недостаткам относится и то, что синхронная пакетная SRAM производится меньшим числом компаний и поэтому стоит дороже.

Синхронная пакетная SRAM имеет время адрес/данные от 8,5 до 12 не.

РВ SRAM (Конвейерная пакетная статическая память). Конвейер - распараллеливание операций SRAM с использованием входных и выходных регистров. Заполнение регистров требует дополнительного начального цикла, но, будучи заполненными, регистры обеспечивают быстрый переход к следующему адресу за то время, пока по текущему адресу считываются данные.

Благодаря этому такая память является наиболее быстрой кэш-памятью для систем с производительностью шины более 75 МГц. РВ SRAM может работать при частоте шины до 133 МГц. Она, кроме того, работает ненамного медленнее, чем синхронная пакетная SRAM при использовании в медленных системах: она выдает данные пакетами по 3-1-1-1 все время. Время адрес/данные составляет от 4,5 до 8 нс.

1-Т SRAM. Традиционные конструкции SRAM используют для запоминания одного разряда (ячейки) статический триггер. Для реализации одной такой схемы на плате должно быть размещено от четырех до шести транзисторов (4-Т, 6-Т SRAM). Фирма Monolithic System Technology (MoSys) объявила о создании нового типа памяти, в которой каждый разряд реализован на одном транзисторе (1-Т SRAM). Фактически здесь применяется технология DRAM, поскольку приходится осуществлять периодическую регенерацию памяти. Однако интерфейс с памятью выполнен в стандарте SRAM, при этом циклы регенерации скрыты от контроллера памяти. Схемы 1-Т позволяют снизить размер кремниевого кристалла на 50-80 % по сравнению с аналогичными для SRAM, а потребление электроэнергии - на 75 %.

Системы видеопамяти

Известны следующие типы видеопамяти (табл. 2.1, здесь отражены также некоторые из вышеперечисленных универсальных сиетем памяти). VRAM (Video RAM - видеоОЗУ) - так называемая двухпортовая DRAM. Этот тип памяти обеспечивает доступ к данным со стороны сразу двух устройств, т. е. есть возможность одновременно писать данные в какую-либо ячейку памяти и одновременно с этим читать данные из какой-нибудь соседней ячейки. За счет этого позволяет совмещать во времени вывод изображения на экран и его обработку в видеопамяти, что сокращает задержки при доступе и увеличивает скорость работы.

WRAM (Window RAM) - вариант VRAM, с увеличенной на -25 % пропускной способностью и поддержкой некоторых часто применяемых функций, таких как отображение шрифтов, перемещение блоков изображения и т. п. Применяется практически только на акселераторах фирм Matrox и Number Nine, поскольку требует специальных методов доступа и обработки данных, наличие всего одного производителя данного типа памяти (Samsung) сильно сократило возможности ее использования. Видеоадаптеры, построенные с использованием данного типа памяти, не имеют тенденции к падению производительности при установке больших разрешений и частот обновления экрана.

SGRAM (Synchronous Graphics RAM - синхронное графическое ОЗУ) - вариант DRAM с синхронным доступом. В принципе, работа SGRAM полностью аналогична SDRAM, но дополнительно поддерживаются еще некоторые специфические функции, типа блоковой и масочной записи. В отличие от VRAM и WRAM, SGRAM является однопортовой, однако может открывать две страницы памяти как одну, эмулируя двухпортовость других типов видеопамяти.

MDRAM (Multibank DRAM - многобанковое ОЗУ) - вариант DRAM, разработанный фирмой MoSys, организованный в виде множества независимых банков объемом по 32 Кбайт каждый, работающих в конвейерном режиме, и использующий распараллеливание операций доступа к данным между большим количеством банков памяти.

Использование микросхем SRAM при высоких требованиях к быстродействию компьютера для кеширования оперативной памяти и данных в механических устройствах хранения информации. Изучение устройства матрицы и типов (синхронная, конвейерная) статической памяти.

РЕСПУБЛИКА КАЗАХСТАН

УНИВЕРСИТЕТ "ТУРАН"

Кафедра "информационных технологий"

тема: "Статическая память"

Выполнил: Айнакулов Д.А. 3курс, "ИС" 9 гр. Проверила: Зиятбекова Г.З.

Алматы 2009 г.

1. ВВЕДЕНИЕ

2. Статическая память

4. Типы статической памяти

5. Заключение

1. ВВЕДЕНИЕ

Персональные компьютеры PC сегодня стали незаменимыми помощниками человека во всех без исключения сферах человеческой деятельности. На компьютерах рассчитывают заработную плату и объем урожая, рисуют графики движения товаров и изменения общественного мнения, проектируют атомные реакторы и т.д.

Слово "компьютер" означает "вычислитель". Потребность в автоматизации обработки данных, в том числе вычислений, возникла очень давно. В настоящее время индустрия производства компьютерного железа и программного обеспечения является одной из наиболее важных сфер экономики развитых и развивающихся стран. Причины стремительного роста индустрии персональных компьютеров: невысокая стоимость; сравнительная выгодность для многих деловых применений; простота использования; возможность индивидуального взаимодействия с компьютеров без посредников и ограничений; высокие возможности по переработке, хранению и выдаче информации; высокая надежность, простота ремонта и эксплуатации; компьютерное железо адаптивно к особенностям применения компьютеров; наличие программного обеспечения, охватывающего практически все сферы человеческой деятельности, а также мощных систем для разработки нового программного обеспечения. Мощность компьютеров постоянно увеличивается, а область их применения постоянно расширяется. Компьютеры могут объединяться в сети, что позволяет миллионам людей легко обмениваться информацией с компьютерами, находящимися в любой точке земного шара. Так что же представляет собой это уникальное человеческое изобретение? Первый признак, по которому разделяют компьютеры, - платформа. Можно выделить две основные платформы ПК: Платформа IBM - совместимых компьютеров включает в себя громадный спектр самых различных компьютеров, от простеньких домашних персоналок до сложных серверов. Именно с этим типом платформ обычно сталкивается пользователь. Кстати, совершенно не обязательно, что лучшие IBM - совместимые компьютеры изготовлены фирмой IBM - породивший этот стандарт "голубой гигант" сегодня лишь один из великого множества производителей ПК. Платформа Apple - представлена довольно популярными на Западе компьютерами Macintosh. Они используют своё, особое программное обеспечение, да и "начинка" их существенно отличается от IBM. Обычно IBM-совместимые ПК состоят из трех частей (блоков): системного блока; монитора (дисплея); клавиатуры (устройства, позволяющего вводить символы в компьютер). Развитие электронной промышленности осуществляется такими быстрыми темпами, что буквально через один год, сегодняшнее "чудо техники" становится морально устаревшим вследствие того, что компьютерное железо постоянно модифицируется, появляется новое программное обеспечение. При этом принципы устройства компьютера остаются неизменными еще с того момента, как знаменитый математик Джон фон Нейман в 1945 году подготовил доклад об устройстве и функционировании универсальных вычислительных устройств.

2. Статическая память

Статическая память, или SRAM (Statistic RAM) является наиболее производительным типом памяти. Микросхемы SRAM применяются для кэширования оперативной памяти, в которой используются микросхемы динамической памяти, а также для кэширования данных в механических устройствах хранения информации, в блоках памяти видеоадаптеров и т. д. Фактически, микросхемы SRAM используются там, где необходимый объем памяти не очень велик, но высоки требования к быстродействию, а раз так, то оправдано использование дорогостоящих микросхем. В персональных компьютерах с процессорами, у которых не было интегрированной на кристалле кэш-памяти второго уровня, всегда использовались микросхемы SRAM внешнего кэша. Для удешевления системных плат и возможности их модернизации производители системных плат с процессорами 486 и первых поколений Pentium устанавливали специальные кроватки (разъемы для микросхем с DIP-корпусом), в которые можно было устанавливать различные микросхемы SRAM, отличающиеся как по быстродействию и объему памяти, так и различной разрядностью. Для конфигурирования памяти на системной плате предусматривался набор джамперов. Для справки прямо на системной плате краской наносилась информация об установке джамперов, например, как показано в табл.(в колонках JS1 и JS2 указаны номера контактов, которые надо замкнуть перемычками).

Пример таблицы конфигурирования кэш-памяти на системной плате

Отметим, что изменением конфигурации кэш-памяти занимались только тогда, когда выходила из строя какая-либо микросхема кэш-памяти. В остальных случаях изменять положение джамперов не рекомендовалось. В дальнейшем, по мере разработки более совершенных микросхем SRAM, они непосредственно припаивались на системную плату в количестве 1, 2 или 4 штук. На системных платах, которые выпускаются сегодня, микросхемы SRAM используются, в основном, только для кэширования ввода/вывода и других системных функций.

3. Устройство матрицы статической памяти

Подобно ячейкам динамической, триггеры объединяются в единую матрицу, состоящую из строк (row) и столбцов (column), последние из которых так же называются битами (bit).

В отличии от ячейки динамической памяти, для управления которой достаточно всего одного ключевого транзистора, ячейка статической памяти управляется как минимум двумя. Это не покажется удивительным, если вспомнить, что триггер, в отличии от конденсатора, имеет раздельные входы для записи логического нуля и единицы соответственно. Таким образом, на ячейку статической памяти расходуется целых восемь транзисторов (см. рис.1) - четыре идут, собственно, на сам триггер и еще два - на управляющие "защелки".

Рис. 1. Устройство 6-транзистроной одно-портовой ячейки SRAM-памяти

Причем, шесть транзисторов на ячейку - это еще не предел! Существуют и более сложные конструкции! Основной недостаток шести транзисторной ячейки заключается в том, что в каждый момент времени может обрабатываться всего лишь одна строка матрицы памяти. Параллельное чтение ячеек, расположенных в различных строках одного и того же банка невозможно, равно как невозможно и чтение одной ячейки одновременно с записью другой.

Этого ограничения лишена многопортовая память. Каждая ячейка многопортовой памяти содержит один-единственный триггер, но имеет несколько комплектов управляющих транзисторов, каждый из которых подключен к "своим" линиям ROW и BIT, благодаря чему различные ячейки матрицы могут обрабатываться независимо. Такой подход намного более прогрессивен, чем деление памяти на банки. Ведь, в последнем случае параллелизм достигается лишь при обращении к ячейкам различных банков, что не всегда выполнимо, а много портовая память допускает одновременную обработку любых ячеек, избавляя программиста от необходимости вникать в особенности ее архитектуры.

Наиболее часто встречается двух - портовая память, устройство ячейки которой изображено на рис. 2. (внимание! это совсем не та память которая, в частности, применяется в кэше первого уровня микропроцессоров Intel Pentium). Нетрудно подсчитать, что для создания одной ячейки двух - портовой памяти расходуется аж восемь транзисторов. Пусть емкость кэш-памяти составляет 32 Кб, тогда только на одно ядро уйдет свыше двух миллионов транзисторов!

Рис. 2. Устройство 8-транзистроной двух портовой ячейки SRAM-памяти

Рис. 3. Ячейка динамической памяти воплощенная в кристалле

4. Типы статической памяти

Существует как минимум три типа статической памяти: асинхронная, синхронная и конвейерная. Все они практически ничем не отличаются от соответствующих им типов динамической памяти.

Асинхронная статическая память

Асинхронная статическая память работает независимо от контроллера и потому, контроллер не может быть уверен, что окончание цикла обмена совпадет с началом очередного тактового импульса. В результате, цикл обмена удлиняется по крайней мере на один такт, снижая тем самым эффективную производительность. "Благодаря" последнему обстоятельству, сегодня асинхронная память практически нигде не применяется (последними компьютерами, на которых она еще использовались в качестве кэша второго уровня, стали "трешки" - машины, построенные на базе процессора Intel 80386).

Синхронная статическая память

Синхронная статическая память выполняет все операции одновременно с тактовыми сигналами, в результате чего время доступа к ячейке укладывается в один-единственный такт. Именно на синхронной статической памяти реализуется кэш первого уровня современных процессоров.

Конвейерная статическая память

Конвейерная статическая память представляет собой синхронную статическую память, оснащенную специальными "защелками", удерживающими линии данных, что позволяет читать (записывать) содержимое одной ячейки параллельно с передачей адреса другой.

Так же, конвейерная память может обрабатывать несколько смежных ячеек за один рабочий цикл. Достаточно передать лишь адрес первой ячейки пакета, а адреса остальных микросхема вычислит самостоятельно, - только успевай подавать (забирать) записывание (считанные) данные!

За счет большей аппаратной сложности конвейерной памяти, время доступа к первой ячейке пакета увеличивается на один такт, однако, это практически не снижает производительности, т.к. все последующие ячейки пакета обрабатываются без задержек.

Конвейерная статическая память используется в частности в кэше второго уровня микропроцессоров Pentium-II и ее формула выглядит так: 2-1-1-1.

5. Заключение

История создания статической памяти уходит своими корнями в глубину веков. Память первых релейных компьютеров по своей природе была статической и долгое время не претерпевала практически никаких изменений - менялась лишь элементарная база: на смену реле пришли электронные лампы, впоследствии вытесненные сначала транзисторами, а затем TTL- и CMOS-микросхемами: но идея, лежащая в основе статической памяти, была и остается прежней...

К сожалению, между человеком и компьютером стоит трудно преодолимая для многих преграда -- различия в способах ввода, обработки и вывода информации. Соответственно, специалистов, которые отлично разбираются в компьютерном железе, не так много, и они всегда на вес золота.

Так как многие любят собирать компьютер самостоятельно, на сайте приведены самые важные сведения о способах сборки и настройки системного блока. Ведь чтобы собрать что-либо толковое, полезное для использования, надо достаточно ясно представлять, что собираешь, для какой области применения и, конечно, из каких узлов. Примерно так можно сформулировать все многообразие вопросов, возникающих перед человеком, когда он решит не купить готовый компьютер, а собрать его собственными руками выбирая то "железо", которое ему необходимо. В связи со стремительным развитие компьютерных технологий а также вследствие того, что компьютерное железо постоянно модифицируется и в прадажу постоянно поступают новые модели, некоторая информация, приведенная на сайте, постепенно теряет свою актуальность.

Список использованной литературы

1. Информатика. Учебное пособие /Ломтадзе В.В., Шишкина Л.П. - Иркутск: ИрГТУ, 1999. - 116с.

2. Информатика. Учебное пособие /Под ред. В.Г. Кирия. - Иркутск: ИрГТУ,1998 часть 2. - 382с.

3. Макарова Н.В. Информатика.- Москва: Финансы и статистика, 1997.

4. Горев А., Ахаян Р., Макашарипов С. Эффективная работа с СУБД. СПб.: Питер, 1997.

	Чтобы скачать работу бесплатно нужно вступить в нашу группу ВКонтакте . Просто кликните по кнопке ниже. Кстати, в нашей группе мы бесплатно помогаем с написанием учебных работ. Через несколько секунд после проверки подписки появится ссылка на продолжение загрузки работы.
	Бесплатная оценка
	Повысить оригинальность данной работы. Обход Антиплагиата.
	РЕФ-Мастер - уникальная программа для самостоятельного написания рефератов, курсовых, контрольных и дипломных работ. При помощи РЕФ-Мастера можно легко и быстро сделать оригинальный реферат, контрольную или курсовую на базе готовой работы - Статическая память. Основные инструменты, используемые профессиональными рефератными агентствами, теперь в распоряжении пользователей реф.рф абсолютно бесплатно!
	Как правильно написать введение? Секреты идеального введения курсовой работы (а также реферата и диплома) от профессиональных авторов крупнейших рефератных агентств России. Узнайте, как правильно сформулировать актуальность темы работы, определить цели и задачи, указать предмет, объект и методы исследования, а также теоретическую, нормативно-правовую и практическую базу Вашей работы.
	Секреты идеального заключения дипломной и курсовой работы от профессиональных авторов крупнейших рефератных агентств России. Узнайте, как правильно сформулировать выводы о проделанной работы и составить рекомендации по совершенствованию изучаемого вопроса.

(курсовую, диплом или отчёт) без рисков, напрямую у автора.

Похожие работы:

12.01.2009/презентация

Память для вычислительных систем ее создание и характеристика особенностей. Создание устройств памяти и основные эксплуатационные характеристики. Функциональные схемы и способ организации матрицы запоминающих элементов. Виды магнитной и флеш памяти.

7.08.2007/курсовая работа

Компиляция программ на языке C/C++. Компиляция нескольких файлов. Библиотеки объектных файлов. Создание статической и динамической библиотеки. Функции работы. Создание динамической библиотеки для решения системы линейных уравнений.

14.10.2010/дипломная работа

Основные направления развития параллелизма, модели параллельного программирования. Автоматические средства разработки параллельного ПО, анализ последовательной программы. Разработка системы автоматического распараллеливания программ на языке Fortran77.

29.09.2008/лекция

Стратегия иерархического, многослойного управления большими системами. Метод согласования модели. Двухуровневое решение задачи статической оптимизации. Метод прогнозирования взаимодействия. Согласование цели, однородность. Время отклика прогнозирования.

24.11.2007/реферат

Контроль в управлении проектами в Украине. Системы автоматизированного проектирования. Контроль по возмущению и комбинированный контроль. Автоматический контроль, программное регулирование и следящие системы. Статический и астатический контроль.

РЕСПУБЛИКА КАЗАХСТАН

УНИВЕРСИТЕТ "ТУРАН"

Кафедра "информационных технологий"

тема:"Статическая память"

Выполнил: Айнакулов Д.А. 3курс, "ИС" 9 гр. Проверила: ЗиятбековаГ.З.

Алматы 2009 г.

1. Введение

2. Статическая память

4. Типы статической памяти

5. Заключение

Список использованной литературы

1. Введение

Слово "компьютер" означает "вычислитель". Потребность в автоматизации обработки данных, в том числе вычислений, возникла очень давно. В настоящее время индустрия производства компьютерного железа и программного обеспечения является одной из наиболее важных сфер экономики развитых и развивающихся стран. Причины стремительного роста индустрии персональных компьютеров: невысокая стоимость; сравнительная выгодность для многих деловых применений; простота использования; возможность индивидуального взаимодействия с компьютеров без посредников и ограничений; высокие возможности по переработке, хранению и выдаче информации; высокая надежность, простота ремонта и эксплуатации; компьютерное железо адаптивно к особенностям применения компьютеров; наличие программного обеспечения, охватывающего практически все сферы человеческой деятельности, а также мощных систем для разработки нового программного обеспечения. Мощность компьютеров постоянно увеличивается, а область их применения постоянно расширяется. Компьютеры могут объединяться в сети, что позволяет миллионам людей легко обмениваться информацией с компьютерами, находящимися в любой точке земного шара. Так что же представляет собой это уникальное человеческое изобретение? Первый признак, по которому разделяют компьютеры, - платформа. Можно выделить две основные платформы ПК: Платформа IBM – совместимых компьютеров включает в себя громадный спектр самых различных компьютеров, от простеньких домашних персоналок до сложных серверов. Именно с этим типом платформ обычно сталкивается пользователь. Кстати, совершенно не обязательно, что лучшие IBM – совместимые компьютеры изготовлены фирмой IBM – породивший этот стандарт "голубой гигант" сегодня лишь один из великого множества производителей ПК. Платформа Apple - представлена довольно популярными на Западе компьютерами Macintosh. Они используют своё, особое программное обеспечение, да и "начинка" их существенно отличается от IBM. Обычно IBM-совместимые ПК состоят из трех частей (блоков): системного блока; монитора (дисплея); клавиатуры (устройства, позволяющего вводить символы в компьютер). Развитие электронной промышленности осуществляется такими быстрыми темпами, что буквально через один год, сегодняшнее "чудо техники" становится морально устаревшим вследствие того, что компьютерное железо постоянно модифицируется, появляется новое программное обеспечение. Однако принципы устройства компьютера остаются неизменными еще с того момента, как знаменитый математик Джон фон Нейман в 1945 году подготовил доклад об устройстве и функционировании универсальных вычислительных устройств.

2. Статическая память

Пример таблицы конфигурирования кэш-памяти на системной плате

Size	SRAM	JS1	JS2
256 К	32x8	1-2	1-2
512 К	64x8	2-3	1-2
1 М	128x8	2-3	2-3

Отметим, что изменением конфигурации кэш-памяти занимались только тогда, когда выходила из строя какая-либо микросхема кэш-памяти. В остальных случаях изменять положение джамперов не рекомендовалось. В дальнейшем, по мере разработки более совершенных микросхем SRAM, они непосредственно припаивались на системную плату в количестве 1, 2 или 4 штук. На системных платах, которые выпускаются в настоящее время, микросхемы SRAM используются, в основном, только для кэширования ввода/вывода и других системных функций.

3. Устройство матрицы статической памяти

Рис. 1. Устройство 6-транзистроной одно-портовой ячейки SRAM-памяти

Рис. 2. Устройство 8-транзистроной двух портовой ячейки SRAM-памяти

Рис. 3. Ячейка динамической памяти воплощенная в кристалле

4. Типы статической памяти

Асинхронная статическая память

Асинхронная статическая память работает независимо от контроллера и потому, контроллер не может быть уверен, что окончание цикла обмена совпадет с началом очередного тактового импульса. В результате, цикл обмена удлиняется по крайней мере на один такт, снижая тем самым эффективную производительность. "Благодаря" последнему обстоятельству, в настоящее время асинхронная память практически нигде не применяется (последними компьютерами, на которых она еще использовались в качестве кэша второго уровня, стали "трешки" - машины, построенные на базе процессора Intel 80386).

Синхронная статическая память

Конвейерная статическая память