Samsung готовит микросхемы GDDR6 и SSD с рекордными характеристиками. Samsung выпускает портативный NVMe SSD

Примерно год назад компания Samsung показала прототип твердотельных накопителей на новом типе флеш-памяти, который она назвала Z-NAND. К началу весны текущего года Samsung опытные образцы SSD SZ985 на памяти Z-NAND (Z-SSD) ёмкостью 1 Тбайт (для пользователей доступный объём моделей составляет 800 Гбайт). Для PCIe-накопителя полной длины это сравнительно небольшой объём памяти, что заставляет задуматься о плотности записи микросхем Z-NAND.

В свежей новости на сайте Business Korea подтверждается , что память Z-NAND представляет собой многослойную память 3D NAND (в терминах Samsung — V-NAND) с записью в каждую ячейку по одному биту данных. Это ограничивает максимальный объём накопителей Z-SSD, но ведёт к повышению производительности, к снижению задержек и к росту устойчивости к износу.

По словам источника, компания Samsung некоторое время назад начала обсуждать с клиентами условия поставок Z-SSD. Известно, что опытные экземпляры накопителей на своих площадках уже изучают компании NetApp и Datera. К сожалению, массового производства памяти Z-NAND и накопителей Z-SSD можно не ждать. Как утверждают наши южнокорейские коллеги, производство Z-SSD запланировано на следующий год.

Остаётся напомнить, что память Z-SSD создана Samsung в качестве альтернативы памяти 3D XPoint компаний Intel и Micron. Память 3D XPoint характеризуется предельно малой латентностью в сфере SSD, которая для режима чтения снижена до 10 мкс. Задержки чтения для накопителя Samsung SZ985 снижены до 15 мкс.

Что касается устоявшихся скоростей в режиме чтения, то Samsung SZ985 как и Intel Optane DC P4800X не стали прорывом, хотя в целом обе модели показывают значительный рост по отношению к среднестатистическим SSD. Так, модель Samsung SZ985 показывает устоявшиеся скорости чтения и записи на уровне 3,2 Гбайт/с, что определённо выше возможностей Intel Optane DC P4800X (2,4 Гбайт/с для чтения и 2,1 Гбайт/с для записи). Значения IOPS для чтения случайных блоков достигает 750 тыс., а для записи — 160 тыс. операций ввода-вывода. В основе SZ985 лежит фирменный контроллер компании под кодовым именем Phoenix. Двукратный рост ёмкости Z-SSD можно ожидать в следующем году, когда компания

Твердотельные накопители Z-SSD на памяти Z-NAND. Память Z-NAND, насколько сообщалось раньше, это многослойная NAND или 3D NAND (Samsung называет её V-NAND) с записью одного бита в каждую ячейку. Казалось, что память NAND SLC ушла в прошлое, поскольку она обладает низкой плотностью записи. Её себестоимость слишком высока, чтобы сделать SSD на её основе популярным решением даже в корпоративном сегменте. Поэтому массовой памятью стала NAND с ячейкой MLC и TLC (два и три бита в ячейке), как и готовится выйти на массовый рынок SSD память 3D NAND QLC с четырьмя битами в ячейке.

И вот, Samsung вспомнила о памяти SLC и адаптировала её для производства в многослойном исполнении. Так выходит дешевле и в ряде случаев оправдано. Например, там, где требуется высочайшая производительность в реальном режиме времени. Добавим, с самого начала Samsung позиционировала память Z-NAND в качестве альтернативы памяти Intel 3D XPoint и накопителей Intel Optane. Последняя характеризуется самыми маленькими в отрасли задержками - менее 10 мкс - и использует иной принцип записи данных в ячейку. Кстати, в этом году Samsung переведёт память Z-NAND на двухбитовую ячейку. Интересно, чем она тогда будет отличаться от обычной 3D NAND MLC?

Но вернёмся к сегодняшнему анонсу. Компания шла к нему полтора года. Память Z-NAND была представлена в августе 2016 года. В апреле 2017 года Samsung показала опытные образцы Z-SSD в виде 800-Гбайт модели SZ985. Однако на этом всё остановилось. Массовое производство новинки было перенесено на 2018 год. Это произошло только теперь, но и то с натяжкой. Раскрыть все подробности работы накопителей Z-SSD компания обещает на ежегодной конференции ISSCC 2018, которая пройдёт в Сан-Франциско с 11 по 15 февраля. В общем-то, через десять дней.

Пока Samsung докладывает, что в показателях IOPS для случайных 4-Кбайт блоков скорость операций ввода/вывода в секунду для чтения достигает 750 тыс., а для записи - 170 тыс. Накопители Intel Optane DC P4800X 375 Гбайт во время чтения развивают 550 тыс. IOPS, а во время записи - 500 тыс. IOPS. Задержки во время записи у накопителей Samsung SZ985 равны 16 мкс, а у Intel Optane DC P4800X - менее 10 мкс. Действительно, по этому параметру с памятью 3D XPoint никто не может сравниться.

Зато по устойчивости к записи накопители Samsung SZ985 в представленной 800-Гбайт версии значительно опережают 375-Гбайт Intel Optane DC P4800X. Каждый из них гарантирует 30 полных перезаписей объёма в сутки, но SZ985 может делать это в течение 5 лет, а Intel Optane DC P4800X - только в течение 3 лет. Во всяком случае, это ограничение гарантии каждой из компаний. Следует сказать, что секрет высокой устойчивости Samsung SZ985 может ещё быть в том, что на борту накопителя, как сообщалось ранее, 1 Тбайт памяти Z-NAND, тогда как пользователю доступны только 800 Гбайт из этого массива, а остальное представляет собой резерв.

О последовательных скоростях чтения и записи Samsung в пресс-релизе не упоминает. Ранее сообщалось, что опытные экземпляры Samsung SZ985 развивают одинаковую скорость в обоих устоявшихся режимах и она достигает 3,2 Гбайт/с. Накопители Intel Optane DC P4800X, напомним, характеризуются устоявшейся скорости записи на уровне 2 Гбайт/с, а скоростью чтения - 2,4 Гбайт/с. В качестве буфера оперативной памяти SZ985 Samsung несёт 1,5 Гбайт LPDDR4. Контроллер SSD собственной разработки Samsung. На конференции ISSCC 2018 компания также покажет или представит 240-Гбайт модель Z-SSD.

SSD-накопители становятся все более популярными системами для хранения информации. Основная причина - производство SSD удешевляется, цена накопителей снижается, плотность записи информации - увеличивается. Сейчас они доступны для гораздо более широкого круга покупателей, чем еще 2-3 года назад. Производители не останавливаются на достигнутом и стараются разрабатывать все более совершенные, быстрые и энергоэффективные накопители с большим объемом памяти.

На днях компания Seagate самый емкий в мире SSD с объемом в 60 ТБ. Корпорация Samsung объявила о выходе несколько менее емкого накопителя объемом в 32 ТБ. Зато эта система создавалась по технологии V-NAND 4-го поколения, благодаря чему удалось добиться более плотного размещения информации и уменьшить размер накопителя. Размер SSD от Samsung - 2,5 дюйма, от Seagate - 3,5.

Новый SSD не предназначен для установки в обычные ноутбуки или ПК. Этот накопитель позиционируется, как корпоративная система хранения информации. SSD от Samsung будет устанавливаться в серверное оборудование, системы хранения данных. Телекоммуникационные компании, работающие со все быстрее увеличивающимся потоком данных, требуют у производителей выпускать все более емкие системы хранения данных с увеличенной плотностью записи информации. Компания старается выпускать решения, соответствующие современным потребностям таких компаний.

Samsung планирует достичь объема в 100 ТБ для обычного SSD к 2020 году. Как уже говорилось выше, 32 ТБ SSD от Samsung является первым устройством, созданным по технологии V-NAND четвертого поколения. V-NAND это технология «вертикальной» флеш-памяти – 3D NAND. Ячейки памяти разбираются не только в плоскости, но и по вертикали, послойно. В текущем SSD используется память с 64-мя слоями. В третьем поколении V-NAND было 48 слоев.

В 48-уровневом массиве вертикальные слои составляли единое целое благодаря соединению через 1,8 миллиардов отверстий канала. Такие отверстия создаются при помощи особой техники травления. В каждом чипе, изготовленном по предыдущей методике, в итоге, содержится 85,3 миллиарда ячеек. Каждая ячейка хранит 3 бита данных. Чип 3-го поколения V-NAND обеспечивает хранение 256 ГБ данных. Такие чипы укладываются слоями.

По словам представителей корпорации Samsung, 32 ТБ модель более быстрая и более надежная, чем предыдущий рекордсмен объемом в 15,36 ТБ. Спецификации нового диска будут представлены позже, хотя уже есть некоторые технические подробности. Эта модель SSD относится к SAS (serial-attached SCSI) типу накопителей. Она несовместима с NVMe слотами, которые становятся все более распространенными в устройствах хранения данных нового типа. В Samsung считают, что SAS будет доминировать в ближайшем будущем, поэтому в ближайшее время компания планирует выпускать SSD именно такого типа.

Южнокорейская корпорация также представила Z-SSD, NAND flash память, которая позиционируется, как хранилище для дата-центров, где будет размещаться кэш или другие временные данные. Такие типы носителей предназначены для установки во флеш-массивы, где во время проведения обработки крупных массивов данных высоконагруженными компьютерными системами хранятся промежуточные результаты вычислений. Скорость последовательной записи данных в Z-SSD в 1,6 раз выше аналогичного показателя накопителя Samsung PM963 NVMe SSD. Z-SSD выпустят на рынок в следующем году.

Компания Samsung представила обновление своей линейки быстрых потребительских накопителей 970 Evo, добавив к имени слово Plus.

Накопители 970 Evo Plus основаны на том же контроллере от Phoenix, но с новой 96-слойной TLC V- NAND памятью от Samsung. Прошлое поколение 970 Evo содержит 64-слойную память.

Новые SSD получили новую прошивку контроллера. Также имеется технология TurboWrite, которая повышает скорость записи на 53%. В результате 970 Evo Plus обеспечивает скорость последовательного чтения в 3500 МБ/с и записи в 3300 МБ/с. При случайном доступе блоками 4K скорость чтения достигает 620k операций, а при записи - 560k операций ввода-вывода в секунду. Надёжность накопителей остаётся неизменной.

Устройство хранения выпускается в том же формате M.2 2280 с подключением по интерфейсу PCIe 3.0x4 с NVMe 1.3. Цена на 970 Evo Plus составит 100 долларов за 250 ГБ модель, 175 долларов за 500 ГБ, 330 долларов за 1 ТБ и 680 долларов за версию объёмом 2 ТБ. Не дёшево, но дешевле, чем первоначально стоил ряд 970 Evo. В продаже новые накопители появятся в марте.

Samsung выпускает портативный NVMe SSD

Компания Samsung переопределила понимание портативных накопителей, создав съёмный твердотельный накопитель с подключением по порту Thunderbolt 3.

Накопитель SSD X5 является новичком в парке накопителей компании. Он представляет собой NVMe SSD , работающий на скорости 2800 МБ/с при чтении, и 2300 МБ/с при записи, что сильно превышает возможности USB 2.0. С ним может справиться только интерфейс Thunderbolt 3, обеспечивающий 40 ГБ/с. Конечно, хватило бы и USB 3.1, но в Samsung решили использовать именно этот стандарт.

Эти числа означают, что 4K UHD фильм объёмом 20 ГБ может быть переписан на съёмный накопитель за 12 секунд.

Накопитель весьма комфортен в руках. Он заметно меньше традиционного 2,5” устройства, да и выглядит привлекательно. В общем, он наверняка понравится владельцам компьютеров Apple.

Хотя Thunderbolt 3 и звучит «по-маковски», данный интерфейс используется и в некоторых других производительных ноутбуках, например, в Eve V и Huawei MateBook X Pro.

В общем, накопитель хорош. Но за скорость надо платить. За терабайтную версию SSD X5 компания Samsung просит 700 долларов, а за топовую версию объёмом 2 ТБ - вдвое больше, 1400 долларов США. Это не случайная покупка, но редакторы видеоматериалов могут быть в ней заинтересованы.

Samsung анонсирует потребительские SSD на базе памяти QLC

Южнокорейский гигант Samsung представил первый в мире твердотельный накопитель на базе 4-битной памяти V- NAND , предназначенный для потребительского рынка.

В новом SSD применяются фирменные чипы V- NAND объёмом 1 Тб, а сами накопители предлагаются в объёме 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. В фирме ничего не сообщили о модельном ряде новых SSD , но вряд ли это будет серия 860 EVO. Производительность обещается на уровне накопителей с 3 битами на ячейку. Наверняка она будет достигнута за счёт технологии TurboWrite, которая предусматривает наличие буфера памяти SLC, с которым и производится большинство пользовательских операций.

«4-битные SATA SSD Samsung возглавят массовый переход к терабайтным SSD для потребителей », - заявил Джесу Хан, исполнительный вице-президент по продажам памяти и маркетингу Samsung Electronics. «Когда мы расширим нашу линейку на весь потребительский и промышленный сегменты, 4-битные терабайтные SSD быстро распространятся по всему рынку» .

В пресс релизе также сообщили об ожидаемых скоростях работы накопителей. При последовательных операциях чтения и записи они составят 540 МБ/с и 520 МБ/с соответственно, что близко к любым современным SATA устройствам.

Гарантия на новые QLC SSD составит 3 года, как и на серию 860 EVO.

Цены на SSD продолжат снижение

Долгие годы обновление оперативной памяти было хорошим апгрейдом, позволяющим увеличить скорость работы с минимальными затратами. Но на фоне роста цен на память в два раза за 18 месяцев, эта роль переходит к SSD .

Пока твердотельные накопители не слишком дёшевы, но они становятся основным способом увеличения производительности с минимальными затратами. И на горизонте появились хорошие новости от Samsung.

Южнокорейский гигант является одним из крупнейших современных производителей твердотельных накопителей. И он не останавливается на достигнутом, планируя расширение. Компания анонсировала вложение 2,6 миллиарда долларов в разработку SSD . Эта инвестиция предусматривает увеличение объёмов выпуска памяти NAND , на которые наблюдается некоторый дефицит из-за популярности твердотельных устройств хранения данных.

Благодаря инвестиции будет значительно увеличено производство микросхем флэш-памяти, что позволит снизить цены на SSD в ближайшие годы.

Samsung выпускает 8 ТБ NVMe SSD формата NF1

Компания Samsung анонсировала выпуск новых твердотельных накопителей NVMe формата Next-generation Small Form Factor (NGSFF), которые стали самыми ёмкими в промышленности. Их объём равен 8 ТБ.

Новые 8 ТБ NVMe NF1 SSD были оптимизированы для приложений с высокой интенсивностью обмена данными и промышленных серверов. Накопители построены на 16 NAND пакетах объёмом 512 ГБ от Samsung. Каждый из них представлен стеком из 16 слоёв объёмом по 256 Гб 3-х битной памяти V- NAND . В результате объём накопителя составляет 8 ТБ при габаритах 11х3,05 см. Это вдвое больший объём, чем предлагают обычные M.2 SSD размером 11х2,2 см, созданные для сверхтонких ноутбуков.

Новый формат должен быстро заменить 2,5” накопители благодаря втрое большей плотности, позволяя использовать беспрецедентные 576 ТБ в последних серверах 2U.

Кроме новой памяти накопители также получили и новый высокопроизводительный контроллер с поддержкой протокола NVMe 1.3 и интерфейса PCIe 4.0. Всё вместе это обеспечивает скорость последовательного чтения на уровне 3100 МБ/с и запись со скоростью 2000 МБ/с, что впятеро быстрее типичного SATA SSD . Скорости случайного чтения и записи могут достигать 500K и 50K операций в секунду соответственно.

Для гарантирования длительной сохранности данных накопитель был создан с уровнем надёжности в 1,3 перезаписи в день за свой гарантийный трёхлетний период.

Samsung выпустила SSD объёмом 30 ТБ

Почти два года назад компания Samsung выпустила твердотельный накопитель объёмом 15,36 ТБ, который до сих пор является одним из лидеров по объёму.

Однако теперь южнокорейский гигант решил закрепить своё лидерство, представив 2,5” SSD объёмом 30,72 ТБ.

Новый накопитель PM1643 построен на вертикальных 3D NAND чипах объёмом по 512 Гб. Не так давно фирма анонсировала терабитные чипы, но пока эта технология не готова к массовому внедрению, а потому в Samsung использовали хорошо откатанную микросхему ёмкостью 512 Гб.

Представленный накопитель обеспечивает скорость чтения до 2100 МБ/с, а записи — до 1700 МБ/с. Модель доступна в нескольких вариантах объёма. Так, кроме 30,72 ТБ версии выпущены варианты ёмкостью 15,36 ТБ, 7,68 ТБ, 3,84 ТБ, 1,92 ТБ, 960 ГБ и 800 ГБ.

Будем надеяться, что внедрение новых накопителей повлечёт создание более ёмких и дешёвых устройств хранения данных для компьютеров и мобильных устройств.

Samsung представила SSD 860 Pro объёмом 4 ТБ

Компания Samsung на своём официальном сайте представила твердотельные накопители модели 860 PRO, максимальный объём которых составляет 4 ТБ.

Твердотельный накопитель 860 PRO объёмом 4 ТБ с интерфейсом SATA3 и шириной 2,5” предлагает скорость чтения и записи на уровне 560 МБ/с и 530 МБ/с при последовательном доступе. К сожалению, это пока единственная доступная о его производительности информация.

Стоит отметить, что 4 ТБ — это внушительный объём. Анонс таких продуктов означает, что Samsung готова массово производить MLC чипы NAND в 64-слойном вертикальном стеке. Что касается модельного ряда, то можно допустить, что будут представлены модели ёмкостью 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. В прайсе значится модель ёмкостью 4 ТБ по цене 1900 долларов США, то есть по 47 центов за гигабайт.

Samsung готовит микросхемы GDDR6 и SSD с рекордными характеристиками

Готовясь к выставке CES, которая состоится в январе 2018 года, компания Samsung подготовила 36 новинок, две из которых будут интересны энтузиастам ПК.

Первая касается новой высокоскоростной памяти GDDR6, которая обладает большей скоростью работы при меньшем энергопотреблении, чем нынешняя память для графики. Новая память GDDR6 от Samsung обладает пропускной способностью 16 Гб/с, что означает скорость ввода-вывода в 64 ГБ/с. Память работает на напряжении 1,35 В.

Второй позицией на CES станут новые SSD NGSFF (next-gen form factor) объёмом 8 ТБ. Используя этот новый форм фактор, Samsung сможет резко увеличить производительность серверов формата 1U. Накопитель сможет обеспечить скорость ввода-вывода на уровне 0,5 ПБ/с. Также, при размере 30х11х4,4 мм, новый SSD занимает меньше места.

Скорее всего, никаких деталей о новых продуктах мы не узнаем до января, когда и состоится их официальная презентация.

Samsung готовит Z-SSD

Несмотря на то, что NAND память не так давно присутствует на рынке накопителей для PC, многие компании ищут ей замену. Одним из таких решений стала память Intel/Micron 3D XPoint, но не единственным.

Компания Samsung ранее представила память Z- NAND , и теперь готовится выпустить первый накопитель на её основе.

Совмещая возможности NAND и DRAM, память Z- NAND по-прежнему остаётся памятью NAND , со всеми её недостатками. Информации об этом типе памяти не много, однако, разработчик уже сообщил некоторые технические характеристики SSD на её основе.

Будущий Z- SSD от Samsung получит объём 800 ГБ и будет представлен в виде PCIe 3.0 платы половинной высоты. Накопитель будет использовать стандартные 4 линии шины. Скорость последовательного чтения и записи составит до 3200 ГБ/с, что на треть выше, чем у Intel Optane DC P4800X. Скорость случайного чтения блоками по 4 кБ составит 750 000 IOPS при чтении и 160 000 IOPS при записи. При этом чтение оказалось быстрее, чем у Optane, но запись — заметно медленнее. Стоит отметить, что части этого прироста в скорости удалось добиться за счёт нового контроллера. К сожалению, о надёжности накопителя Samsung ничего не известно, так что нельзя сделать полноценное сравнение устройств на памяти 3D XPoint и Z- NAND .

О доступности и цене также пока ничего не известно, но некоторые заказчики уже получили пробные образцы накопителей.

Samsung выпустит 4 ТБ SSD 850 Pro

Несмотря на то, что Samsung выпустила 4 ТБ твердотельный накопитель 850 EVO в июле этого года, компания уже готовит обновлённую 4 ТБ версию 850 PRO, которая будет анонсирована на выставке CES 2017.

Как известно, 850 EVO SSD имеет цену в 1500 долларов, а во сколько обойдётся флагманский 2,5” SATA 850 Pro SSD мы узнаем уже в январе.

Таким образом, компания выпустит первый MLC накопитель (2 бита на ячейку) объёмом 4 ТБ, что обеспечит высокую производительность и большую надёжность.

К сожалению, компания ничего не сообщила о деталях готовящегося SSD 850 Pro, но стоит ожидать, что спецификации устройства не будут уступать 2TB версии, которая основана на контроллере MEX со скоростью последовательного чтения 550 МБ/с и записи 520 МБ/с. Скорость проведения случайных операций блоками по 4K составляет 100 000 IOPS при чтении и 90 000 IOPS при записи.

SZ985 на памяти Samsung Z-NAND. А последняя, как известно, представляет собой более производительный вариант 3D NAND и позиционируется Samsung в качестве прямого конкурента Intel 3D XPoint.

Samsung уже давно говорит о памяти Z-NAND и основанных на ней твердотельных накопителях SZ985, а первоначальная презентация этого NVMe SSD произошла ещё в 2016 году. При этом корейцы рассчитывали, что уже в 2016 году на рынке появятся первые подобные накопители ёмкостью 1 Тбайт, а в 2017 году свет увидят SSD объёмом 2 и 4 Тбайт.

Но компания сильно отстаёт от графика, и сегодня Samsung выпустила лишь SSD ёмкостью 240 и 800 Гбайт. В Samsung не сказали ничего нового о работе Z-SSD и лишь отметили, что в SSD используется 1,5 Гбайт памяти LPDDR4. Новые SSD заметно превосходят Intel Optane SSD DC P4800X в плане производительности при чтении с произвольным доступом блоками по 4 Кбайт: 550000 IOPS у Intel и 750000 IOPS у Samsung.

Минус в том, что производительность Samsung SZ985 при записи намного менее впечатляющая - 170000 IOPS. Другими словами, она сразу на 77% ниже, чем аналогичный показатель при чтении против всего лишь 9% снижения производительности при чтении/записи у Intel P4800X.

Samsung планирует показать новые накопители с памятью Z-SSD объёмом 800 и 240 Гбайт на ISSCC 2018, которая пройдёт с 11 по 15 февраля в Сан-Франциско.