Восстановление SSD-накопителей | Когда хорошая память попадает в неприятные ситуации

В этот раз мы связались с лабораторией Flashback Data, сотрудники которой занимаются всеми типами устройств для хранения данных, но имеют особый опыт работы с флэш-памятью. Представители Flashback Data согласились показать нам, какие усилия предпримет высококлассная лаборатория ради спасения нашей драгоценной флэш-памяти.


Восстановление SSD-накопителей | Диапазон чтения

В самом начале своего пути Flashback в основном производила замену неисправных чипов, но со временем продолжать это становилось всё тяжелее, поскольку производители стали использовать различные компоненты на различных стадиях производства в одной и той же модели. На некоторых устройствах появилось шифрование, которое ещё больше затрудняет процесс восстановления данных. В этом случае от Flashback требовалась возможность чтения памяти напрямую, что, в свою очередь, означало необходимость обладать невероятным количеством способов для чтения чипов из столь широкого разнообразия имеющейся флэш-памяти.

Заметим, что когда Flashback ссылается на "шифрование", это состояние, как правило, является неизвестным для пользователя. Например, где-то с 2006 года SanDisk начала шифровать данные на всех своих накопителях, как поведал нам один из основателей и вице-президент компании Flashback Рассел Чозик (Russell Chozick). Как и в случае с автоматическим шифрованием жёстких дисков, контроллер производит шифрование всех данных, хранящихся во флэш-памяти. Так как для блокировки шифрования не предусмотрен пароль, данные расшифровываются и извлекаются из носителя. Так что в случае повреждения печатной платы сотрудники Flashback стараются переместить контроллер и чипы памяти в новое устройство. "Если сгорел контроллер, то получить данные обратно практически нереально, поскольку именно на нём содержится информация о том, как именно нужно расшифровать данные. При отсутствии возможности работы с контроллером вы сталкиваетесь с большой проблемой".

Восстановление SSD-накопителей | Типы флэш-памяти

Эти тёмно-серые чипы стандарта TSOP48 в течение многих лет являлись типичными компонентами USB-накопителей, а также карт памяти SSD/SD/CF, но в последнее время они открыли дорогу и для других чипов. На самом нижнем образце на картинке видно заднюю часть чипа TLGA, и вы можете заметить, что сбоку нет контактов, а модули расположены на задней стороне. Такие чипы являются обычными для всех типов флэш-памяти и работают, например, в новейших смартфонах iPhone.

Во время процесса восстановления сотрудники Flashback вставляют чипы TSOP48 в считывающие устройства, но TLGA также должны быть припаяны. Очевидно, что при этом процессы анализа и восстановления информации происходят куда сложнее. Так что после внедрения в смартфоны более компактной флэш-памяти старые "монолитные" форматы кажутся более простыми в сравнении с ней.

Карты памяти формата SD и USB-устройства LaCie также имеют монолитные чипы. В то время как большинство карт памяти имеет отдельные чипы контроллера и памяти, в монолитном чипе оба компонента объединены в одном крошечном модуле. Очевидно, что нарушения в работе таких устройств могут произойти по любой из множества причин. Если перестаёт работать контроллер, то специалисты всё равно могут получить доступ к данным при помощи других средств вместо использования контактов для подключения к кардридеру, смартфону или камере. На фотографии заметно, как с устройства частично снят корпус, поскольку специалистам необходимо удалить некоторую часть припаянного чёрного покрытия, чтобы найти определённые точки для подключения к логическому анализатору. Как только все точки будут определены, карта будет подсоединена так, как это показано на следующих картинках.

Для удаления части покрытия сотрудниками Flashback используются удивительно незамысловатые инструменты: шлифовальная паста и полировальный круг. Для достижения этой цели можно использовать и химикаты, однако нам сказали, что лучше воспользоваться медленным и тщательным процессом полировки. В процессе шлифования можно легко повредить очень тонкие контакты. Сначала мы попросили подключить накопитель LaCie, но затем отказались от этой идеи, узнав, что такая работа может занять у специалиста целый день.

Восстановление SSD-накопителей | Типичные ошибки флэш-накопителей

Мы видели фотографии повреждённых жёстких дисков, большинство из которых пострадало из-за столкновения головки с треками в магнитном носителе. Практически все повреждения SSD-накопителей и флэш-памяти, которые обнаруживают сотрудники Flashback, незаметны. В редких случаях можно увидеть след ожога на печатной плате, но, в целом, сломанные контроллеры и сожжённые предохранители не оставляют видимых признаков. В итоге, специалистам приходится долго работать, тестируя каждый резистор. В сравнении с этим отсоединить коннектор, как это показано на фото, для специалистов по ремонту – пара пустяков.

Восстановление SSD-накопителей | Как насчёт изнашивания?

Ранее мы уже писали о постоянной гонке двух процессов – усовершенствованием чтения алгоритмов по мере увеличения ёмкости и сокращением литографии, что напоминает перетягивание каната. В частности, мы обеспокоены тем, что флэш- и SSD-накопители, проработавшие несколько лет, могут проявлять признаки износа.

К счастью, как нам говорят, большинству SSD-накопителей, которые поступают в лабораторию Flashback, нет ещё и года, так что и износа NAND-памяти не наблюдается. На самом деле, случаи фактического износа крайне редки. Хотя у USB-флэшек (особенно более старых моделей с менее совершенными алгоритмами выравнивания) износ распространён чуть больше. Считывание с чипов происходит отлично, но при проверке информации возникает множество ошибок ECC, и никакие данные извлечь не получается. Наличие четырёх красных точек (далее на картинках) говорит о проблемах с ECC. Напротив, основные проблемы износа будут отмечены четырьмя зелёными точками.

Были и такие случаи, когда специалисты проводили анализ, вынимали чип, чистили ламель и ставили всё на место, усугубляя проблему со считыванием данных, на что теперь требовалось больше времени. Так что износ и правда можно расценивать как реальную опасность, но здесь не идёт речи ни о каком кризисе, хотя многие могли бы о нём подумать.

Восстановление SSD-накопителей | Нагрей

Чипы должны быть удалены с печатной платы при помощи специального паяльного приспособления, и одним из главных инструментов на этом этапе является горячий воздух. На картинке видно, как специалисты удаляют TLGA-чип из USB-устройства. Они контролируют температуру и давление воздуха, нагревая устройство настолько, чтобы можно было расплавить спаянные точки. В таких паяльных станциях также имеются паяльники, сварочный флюс, омметры и другие приспособления для диагностики. Некоторые из этих станций занимают основную лабораторию Flashback, площадь которой составляет примерно 465 квадратных метров.



СОДЕРЖАНИЕ

О надёжности SSD.

Казалось бы, нет движущихся частей - все должно быть очень надежно. Это не совсем так…

Восстановление данных с Solid State Drive (SSD)

Восстановление данных с любых SSD накопителей! Накопители Solid State Drive (SSD) появились сравнительно недавно, но уже успели завоевать большую популярность. Преимущество SSD по сравнению с традиционными накопителями на жёстких дисках на первый взгляд очевидны, это высокая механическая надёжность, отсутствие движущихся частей, высокая скорость чтения / записи, низкий вес, меньшее энергопотребление.

SSD - это твердотельный накопитель (англ. SSD, Solid State Drive или Solid State Disk), энергонезависимое, перезаписываемое запоминающее устройство без движущихся механических частей с использованием флэш-памяти. SSD полностью эмулирует работу жёсткого диска.

О надёжности SSD.

Казалось бы, нет движущихся частей - все должно быть очень надежно. Это не совсем так. Любая электроника может сломаться, не исключение и SSD. С низким ресурсом MLC-чипов ещё можно как-то бороться коррекцией ошибок ECC, резервированием, контролем за износом и перемешиванием блоков данных. Но самый большой источник проблем - контроллер и его прошивка. По причине того, что контроллер физически расположен между интерфейсом и микросхемами памяти, вероятность его повреждения в результате сбоя или проблем с питанием очень велика. При этом сами данные, в большинстве случаев сохраняются. Помимо физических повреждений, при которых доступ к данным пользователя невозможен, существуют логические повреждения, при которых также нарушается доступ к содержимому микросхем памяти. Любая, даже незначительная ошибка, баги в прошивке, может привести к полной потере данных. Структуры данных очень сложные. Информация «размазывается» по нескольким чипам, плюс чередование, делают восстановление данных довольно сложной задачей.
В таких случаях восстановить накопитель помогает прошивка контроллера с низкоуровневым форматированием, когда заново создаются служебные структуры данных. Производители стараются постоянно дорабатывать микропрограмму, исправлять ошибки, оптимизировать работу контроллера. По этому, рекомендуется периодически обновлять прошивку накопителя для исключения возможных сбоев.
В SSD накопителе, как и в HDD, данные не удаляются сразу после того, как файл был стёрт из ОС. Даже если переписать файл по верху нулями - физически данные еще остаются, и если чипы флеш-памяти достать, и считать на программаторе - можно найти 4кб фрагменты файлов. Полное стирание данных стоит ждать тогда, когда на диск будет записано данных равное количеству свободного места + объем резерва (примерно 4 Гб для 60Гб SSD). Если файл попадёт на «изношенную» ячейку, контроллер ещё не скоро перезапишет её новыми данными.

Основные принципы, особенности, отличия в восстановлении данных с SSD и USB Flash накопителей.

Восстановление данных с SSD накопителей достаточно трудоёмкий и долгий процесс по сравнению с портативными flash накопителями. Процесс поиска правильного порядка, объединения результатов и выбора необходимого сборщика (алгоритм/программа полностью эмулирующая работу контроллера SSD накопителя) для создания образа диска не лёгкая задача.
Связанно это в первую очередь с увеличением числа микросхем в составе SSD накопителя, что во много раз увеличивает число возможных вариантов действий на каждом этапе восстановления данных, каждое из которых требует проверки и специализированных знаний. Так же, в силу того, что к SSD предъявляются значительно более жесткие требования по всем характеристикам (надёжность, быстродействие и т.д.), чем к мобильным флеш накопителям, технологии и методики работы с данными, применяемые в них, достаточно сложны, что требует индивидуального подхода к каждому решению и наличию специализированных инструментов и знаний.

Статья взята из открытых источников: http://hardxdisk.blogspot.ru/p/blog-page_5651.html

Приветствую всех Хабровчан!

Предлагаю сегодня немного поговорить о восстановлении информации с неисправных SSD накопителей. Но для начала, прежде, чем мы познакомимся с технологией спасения драгоценных кило- мега- и гигабайт, прошу обратить внимание на приведенную диаграмму. На ней мы попытались расположить наиболее популярные модели SSD согласно вероятности успешного восстановления данных с них.

Как нетрудно догадаться, с накопителями, расположенными в зеленой зоне, обычно возникает меньше всего проблем (при условии, что инженер обладает необходимым инструментарием, разумеется). А накопители из красной зоны способны доставить немало страданий как их владельцам, так и инженерам-восстановителям. В случае выхода из строя подобных SSD шансы вернуть назад потерянные данные на сегодняшний день слишком малы. Если ваш SSD расположен в красной зоне или рядом с ней, то я бы советовал делать backup перед каждой чисткой зубов.

Те, кто уже сегодня сделал backup, добро пожаловать под кат.

Тут следует сделать небольшую оговорку. Некоторые компании умеют чуть больше, некоторые чуть меньше. Результаты, проиллюстрированные на диаграмме, представляют из себя нечто среднее по индустрии по состоянию на 2015 год.

На сегодняшний день распространены два подхода к восстановлению данных с неисправных SSD.

Подход №1. Вычитывание дампов NAND flash микросхем

Решение задачи что называется в лоб. Логика проста. Пользовательские данные хранятся на микросхемах NAND flash памяти. Накопитель неисправен, но что, если сами микросхемы в порядке? В абсолютном большинстве случаев так и есть, микросхемы работоспособны. Часть данных, хранящихся на них, может быть повреждена, но сами микросхемы функционируют нормально. Тогда можно отпаять каждую микросхему от печатной платы накопителя и считать ее содержимое с помощью программатора. А после попробовать собрать логический образ накопителя из полученных файлов. Этот подход в настоящее время используется при восстановлении данных с usb flash накопителей и различных карт памяти. Сразу скажу, что работа эта не из благодарных.

Трудности могут возникнуть еще на этапе считывания. Микросхемы NAND flash памяти выпускаются в разных корпусах, и для конкретной микросхемы в комплекте с программатором может не оказаться нужного адаптера. Для таких случаев в комплекте обычно есть некоторый универсальный адаптер под распайку. Инженер вынужден, используя тонкие проводки и паяльник, соединить нужные ножки микросхемы с соответствующими контактами адаптера. Задача вполне решаемая, но требует прямых рук, определенных навыков и времени. Сам то я с паяльником знаком не близко, поэтому такая работа вызывает уважение.

Не будем также забывать, что в SSD таких микросхем будет скорее всего 8 или 16, и каждую придется распаять и считать. Да и сам процесс вычитывания микросхемы тоже быстрым не назовешь.
Ну а дальше остается только из полученных дампов собрать образ и дело в шляпе! Но тут то и начинается самое интересное. Не буду углубляться в подробности, опишу только основные задачи, которые предстоит решить инженеру и используемым им ПО.

Битовые ошибки

Природа микросхем NAND flash памяти такова, что в сохраненных данных непременно появляются ошибки. Отдельные ячейки памяти начинают читаться неверно, причем стабильно неверно. И это считается нормой ровно до тех пор пока количество ошибок внутри определенного диапазона не превысит некоторый порог. Для борьбы с битовыми ошибками используются коды коррекции (ECC). При сохранении пользовательских данных, накопитель предварительно делит блок данных на несколько диапазонов и каждому диапазону добавляет некоторые избыточные данные, которые позволяют обнаружить и исправить возможные ошибки. Количество ошибок, которые могут быть исправлены определяется мощностью кода.

Чем выше мощность кода, тем длиннее последовательность приписываемых байт. Процесс вычисления и добавления упомянутой последовательности называется кодированием, а исправления битовых ошибок - декодированием. Схемы кодирования и декодирования обычно аппаратно реализованы внутри контроллера накопителя. При выполнении команды чтения накопитель наряду с прочими операциями выполняет также исправление битовых ошибок. С полученными файлами дампов необходимо провести ту же процедуру декодирования. Для этого нужно определить параметры используемого кода.

Формат страниц микросхем памяти

Единицей чтения и записи у микросхем памяти выступает единица, именуемая страницей. Для современных микросхем размер страницы равен приблизительно 8 КБ или 4 КБ. Причем это значение не является степенью двойки, а немного больше. Т. е. внутри страницы можно разместить 4 или 8 КБ пользовательских данных и еще что-нибудь. Эту избыточную часть накопители используют для хранения кодов коррекции и некоторых служебных данных. Обычно страница поделена на несколько диапазонов. Каждый диапазон состоит из области пользовательских данных (UA) и области служебных данных (SA). Последняя как раз и хранит внутри себя коды коррекции, которые защищают данный диапазон.

Все страницы имеют один и тот же формат, и для успешного восстановления необходимо определить каким диапазонам байт соответствуют пользовательские данные, а каким служебные.

Скремблирование VS Шифрование

Большинство современных SSD не хранят пользовательские данные в открытом виде, вместо этого они предварительно скремблируются или зашифровываются. Разница между этими двумя понятиями достаточно условна. Скремблирование - это некоторое обратимое преобразование. Основная задача этого преобразования получить из исходных данных нечто похожее на случайную последовательность бит. Данное преобразование не является криптостойким. Знание алгоритма преобразования позволяет без особого труда получить исходные данные. В случае с шифрованием знание одного лишь алгоритма ничего не дает. Необходимо также знать и ключ для расшифровки. Поэтому, если в накопителе используется аппаратное шифрование данных, и вам неизвестны параметры шифрования, то из считанных дампов данные восстановить не получится. Лучше даже не приступать к этой задаче. Благо большинство производителей честно признаются в том, что используют шифрование.

Более того, маркетологи сумели сделать из этой преступной (с точки зрения восстановления данных) функциональности опцию, которая якобы дает конкурентное преимущество над другими накопителями. И ладно если бы были отдельные модели для параноиков, в которых была бы качественно сделана защита от несанкционированного доступа. Но сейчас, видимо, настало время, когда отсутствие шифрования считается плохим тоном.
В случае со скремблированием дела обстоят не так печально. В накопителях оно реализовано как побитовая операция XOR (сложение по модулю 2, исключающее «ИЛИ») , выполненная над исходными данными и некоторой сгенерированной последовательностью бит (XOR паттерном).

Часто эту операцию обозначают символом ⊕.

Поскольку
То для получения исходных данных необходимо произвести побитовое сложение прочитанного буфера и XOR паттерна:

(X ⊕ Key) ⊕ Key = X ⊕ (Key ⊕ Key) = X ⊕ 0 = X

Остается определить XOR паттерн. В самом простом случае для всех страниц применяется один и тот же XOR паттерн. Иногда накопитель генерирует длинный паттерн, скажем длиной в 256 страниц, тогда каждая из первых 256 страниц микросхемы складывается со своим куском паттерна, и так повторяется для следующих групп из 256 страниц. Но бывают случаи и посложнее. Когда для каждой страницы индивидуально генерируется свой паттерн на основании какого-то закона. В таких случаях помимо прочего нужно еще попытаться разгадать этот закон, что уже, мягко скажем, непросто.

Сборка образа

После выполнения всех предварительных преобразований (исправление битовых ошибок, устранение скремблирования, определение формата страницы и, возможно, некоторых других) заключительным этапом идет сборка образа. В силу того, что количество циклов перезаписи для ячеек микросхемы ограничено, накопители вынуждены использовать механизмы выравнивания износа, чтобы продлить время жизни микросхем. Следствием этого является то, что пользовательские данные сохранены не последовательно, а хаотично разбросаны внутри микросхем. Очевидно, что накопителю необходимо как-то запоминать куда он сохранил текущий блок данных. Для этого он использует специальные таблицы и списки, которые так же хранит на микросхемах памяти. Множество этих структур принято называть транслятором. Вернее будет сказать, что транслятор это некая абстракция, которая отвечает за преобразования логических адресов (номера секторов) в физические (микросхема и страница).

Соответственно, чтобы собрать логический образ накопителя, необходимо разобраться с форматом и назначением всех структур транслятора, а также знать как их найти. Некоторые из структур являются достаточно объемными, поэтому накопитель не хранит ее целиком в одном месте, а она также оказывается кусками разбросана по разным страницам. В таких случаях должна быть структура, описывающая это распределение. Получается некий транслятор для транслятора. На этом обычно останавливаются, но можно пойти еще дальше.

Данный подход к восстановлению данных заставляет полностью эмулировать работу накопителя на низком уровне. Отсюда вытекают плюсы и минусы этого подхода.

Минусы:

  • Трудоемкость . Поскольку мы полностью эмулируем работу накопителя, нам придется выполнить всю грязную работу за него.
  • Риск потерпеть фиаско . Если не удастся решить хотя бы одну из поставленных задач, то о восстановлении не может быть и речи. А вариантов много: невозможность прочитать микросхемы, потому что программатор их не поддерживает; неизвестные коды коррекции; неизвестный XOR паттерн; шифрование; неизвестный транслятор
  • Риск еще больше угробить накопитель . Помимо трясущихся рук риском является сам нагрев микросхем памяти. Для изношенных микросхем это может привести к появлению дополнительного числа битовых ошибок.
  • Время и стоимость работ
Плюсы:
  • Широкий круг задач . Все, что нужно от накопителя, это работающие микросхемы памяти. Неважно в каком состоянии остальные элементы.

Подход №2. Технологический режим

Очень часто разработчики SSD помимо реализации работы накопителя согласно спецификации наделяют его также дополнительной функциональностью, которая позволяет протестировать работу отдельных подсистем накопителя и изменить ряд конфигурационных параметров. Команды накопителю, позволяющие это сделать, принято называть технологическими. Они также оказываются весьма полезными при работе с неисправными накопителями, повреждения которых носят программный характер.

Как уже было сказано выше, со временем в микросхемах памяти неизбежно появляются битовые ошибки. Так вот, согласно статистике, причиной выхода из строя SSD в большинстве случаев является появление некорректируемых битовых ошибок в служебных структурах. То есть на физическом уровне все элементы работают нормально. Но SSD не может корректно инициализироваться из-за того, что одна из служебных структур повреждена. Такая ситуация разными моделями SSD обрабатывается по-разному. Некоторые SSD переходят в аварийный режим работы, в котором функциональность накопителя значительно урезана, в частности, на любые команды чтения или записи накопитель возвращает ошибку. Часто при этом, чтобы как-то просигнализировать о поломке, накопитель меняет некоторые свои паспортные данные. Например, Intel 320 series вместо своего серийного номера возвращает строку с кодом ошибки. Наиболее часто встречаются неисправности из серии «BAD_CTX %код ошибки%”.

В таких ситуациях очень кстати оказывается знание технологических команд. С помощью них можно проанализировать все служебные структуры, также почитать внутренние логи накопителя и попытаться выяснить, что же все таки пошло не так в процессе инициализации. Собственно скорее всего для этого и были добавлены техно-команды, чтобы производитель имел возможность выяснить причину выхода из строя своих накопителей и попытаться что-то улучшить в их работе. Определив причину неисправности, можно попытаться ее устранить и вновь вернуть накопитель к жизни. Но все это требует по-настоящему глубинных знаний об архитектуре устройства. Под архитектурой здесь я в большей степени понимаю микропрограмму накопителя и служебные данные, которыми она оперирует. Подобным уровнем знаний обладают разве что сами разработчики. Поэтому, если Вы к ним не относитесь, то Вы либо должны обладать исчерпывающей документацией на накопитель, либо Вам придется потратить изрядное количество часов на изучение данной модели. Понятное дело разработчики не спешат делиться своими наработками и в свободном доступе таких документаций нет. Говоря откровенно, я вообще сомневаюсь, что такие документации существуют.

В настоящее время производителей SSD слишком много, а новые модели появляются слишком часто, и на детальное изучение не остается времени. Поэтому практикуется немного другой подход.

Среди технологических команд очень полезными оказываются команды, позволяющие читать страницы микросхем памяти. Таким образом можно считать целиком дампы через SATA интерфейс накопителя, не вскрывая корпус SSD. Сам накопитель в таком случае выступает в роли программатора микросхем NAND flash памяти. В принципе, подобные действия даже не должны нарушать условий гарантии на накопитель.

Часто обработчики техно-команд чтения микросхем памяти реализованы так, что есть возможность оставить исправление битовых ошибок, а иногда и расшифровку данных , на стороне накопителя. Что, в свою очередь, значительно облегчает процесс восстановления данных. По сути остается только разобраться с механизмами трансляции и, можно сказать, решение готово.

На словах то оно, кончено, все просто звучит. Но на разработку подобных решений уходит немало человеко-часов. И в результате мы добавляем в поддержку всего одну модель SSD.

Но зато сам процесс восстановления данных упрощается колоссально! Имея подобную утилиту, остается только подключить накопитель к компьютеру и запустить эту утилиту, которая с помощью техно-команд и анализа служебных структур построит логический образ. Дальше остается только анализ разделов и файловых систем. Что тоже может быть непростой задачей. Но в большинстве случаев построенный образ без особого труда позволяет восстановить большую часть пользовательских данных.

Минусы:

  • Сложность и стоимость разработки . Достаточно немногие компании могут себе позволить содержать свой отдел разработок и проводить подобного рода исследования.
  • Решения индивидуальны .
  • Ограниченный круг задач . Не ко всем накопителям применим данный подход. SSD должен быть физически исправен. Также, редко, но все же бывает, что повреждения некоторых служебных структур, исключает возможность восстановления пользовательских данных.
Плюсы:
  • Простота .
  • В некоторых случаях позволяет обойти шифрование . По сути подход к восстановлению данных с помощью технологических команд на сегодняшний день является единственным известным способом восстановить данные с некоторых накопителей, использующих аппаратное шифрование данных.

Заключение

На войне все средства хороши. Но лично я отдаю предпочтение второму подходу как более тонкому инструменту. И наиболее перспективному, поскольку все более широкое распространение аппаратного шифрования исключает возможность восстановления информации с „сырых“ дампов микросхем. Однако и у первого подхода есть своя ниша задач. По большому счету это те задачи, которые нельзя решить с использованием технологических функций накопителя. В первую очередь это накопители с аппаратной неисправностью, и при этом нет возможности определить поврежденный элемент, или характер повреждений исключает ремонт. И браться за дело рекомендуется только в том случае, если уже есть успешный опыт восстановления информации с подобной модели SSD, или есть информация о решении. Необходимо знать, с чем придется столкнуться: используется ли шифрование или скремблирование, какой XOR паттерн вероятнее всего используется, известен ли формат транслятора (есть ли сборщик образа). В противном случае шансы на успех невелики, по крайней мере оперативно решить задачу не получится. К тому же нагрев негативно влияет на изношенные микросхемы памяти, в результате чего могут появиться дополнительные битовые ошибки, которые, в свою очередь, могут привнести свою ложку дегтя в последующем.

На этом пока все. Берегите себя! И да хранит ваши данные backup!

Мне подумалось, что вдруг кого-то из владельцев SSD устройства этот топик наведёт на мысль о backup"е, кого-то о в целом более осторожном отношении, а кого-то избавит от общения с не слишком торопливой службой поддержки. Всё написанное относится не тдоолько к устройствам той серии и производителя, что у меня.

Дней 10 назад мне случилось оставить на ночь ноут с батареей в критическом состоянии без зарядки. Я не слишком беспокоюсь о жизни батареи, но удар последовал с другой стороны. Утром, включив ноутбук в зарядку и включив его я с удивлением обнаружил, что:


В ВIOS"е винчестер определялся. Схватив имевшийся под рукой Ubuntu Live CD на flash"ке и вооружившись командной строкой, я приготовился к дебагу.
Стоит сразу сказать, что в случаях таких сбоев удобнее было бы использоваться какой-нибудь Data Rescue Live CD, с уже установленными утилитами диагностики вместо совершенно не нужного офисного пакета, но тем не менее.

Наберём арсенал, который нам пргодится:

$ sudo apt-get install hdpam partx smartmontools

Смотрим, что у нас случилось:
$ sudo partx -s /dev/sda
partx: /dev/sda: failed to read partition table

Итак, с таблицей разделов вроде бы можно попрощаться.
$ sudo smartctl -s on -d ata -A /dev/sda -T verypermissive
smartctl 5.41 2011-06-09 r3365 (local build)
Copyright 2002-11 by Bruce Allen,

SMART support is: Unavailable - device lacks SMART capability .
=== START OF ENABLE/DISABLE COMMANDS SECTION ===
Error SMART Enable failed: Input/output error

Ошибка ввода-вывода? Диск не поддерживает SMART? Уже бред какой-то.

$ sudo hdparm -I /dev/sda

ATA device, with non-removable media
Model Number: INTEL SSDSA2CW080G3
Serial Number: BAD_CTX 00000150
Firmware Revision: 4PC10302
…
Configuration:
Logical max current
cylinders 16383 16
heads 16 16
sectors/track 63 63
-
CHS current addressable sectors: 16128
LBA user addressable sectors: 156301488
LBA48 user addressable sectors: 156301488
Logical Sector size: 512 bytes
Physical Sector size: 512 bytes
device size with M = 1024*1024: 76319 MBytes
device size with M = 1000*1000: 80026 MBytes (80 GB)


Ага. Можно заметить, что число условных SSD цилиндров упало в 10000 раз и согласно десктопному Gparted"у размер винчестера составляет 8MB (каюсь, в логах не сохранилась консольная команда и её вывод для просмотра этого безобразия, прошу верить мне на слово). Серийный номер отсутствует и вместо него BAD_CTX что-то там. Хорошо, симптомы поняли, можно обращаться к поиску и в поддержку. Действительно, оказывается, проблема далеко не единична , но, увы, такой идиот с Linux"ом я один.

В кратце для не знакомых с языком и ленивых, форумчане говорят о повальной подверженности всех Intel"овских SSD такому багу, особенно затронувшее 320ю серию и X25M. Есть новость о прошивке 0362, которая призвана избавить именно от этого бага, но количество обращений людей с уже этой прошивкой с теми же симптомами говорит о нерешённости проблемы. Да, лучшим решением в данном случае было бы отправить винчестер обратно в Intel, чтобы у них появился стимул поправить свои ошибки.

К сожалению, поддержка Intel не отличается расторопностью, и отвечает примерно раз в сутки, затупливая по техническим вопросам, и очень рекомендуя установить их SSD Toolbox для определения проблемы. Хочется отдельно заметить, что основной срез пользователей SSD - это владельцы MacBook"ов, у которых аналогично со мной есть трудности с установкой софта под Windows. Отдельного упоминания достойно то, что эта тулза, предназначенная для определения неисправностей, требует:
- Java
- .NET 3.5
- Windows Media Player Redistributable 11
что делает её установку на компьютере, загруженном с Live CD практически невозможной задачей (во-первых из за ограничений объёма на виртуальном винчестере, а во-вторых в связи с тем, что WMP 11 требует проверки аутентичности Windows, которая со скрипом и стонами лишь у некоторых особо выдающихся личностей получается в Wine.
Пламенный привет разработчикам этого ПО.
Мне чудом удалось объснить ситуацию поддержке, и они согласились на замену, но для замены нужно заполнить неимоверное количество форм, к которым нужно ещё приложить подтверждение поупки мной устройства. Волею судеб, я сейчас в десяти тысячах километров от дома, и не ждал такого подвоха.

К счастью, на форумах все однозначно говорят, что содержимое диска восстановлению не подлежит, но что работоспособность восстановить возможно. И то время, которое было потрачено на переписку со службой поддержки, я не потратил зря, а с пользой потратил на чтение форумов и эксперименты, краткий разультат которых здесь и привожу.

Нужно восстановить количество цилиндров, вернув заветные 16383.
Для этой операции нам нужны будут две команды, запуск обоих затруднён для защиты от дурака и вредителя.

Выставляем пользователя, и пароль для мастер-операций над диском.

$ sudo hdparm –user-master user –security-set-pass abc /dev/sda

Далее нам нужно разблокировать расширенный набор ATA-команд, в частности secure-erase, которые блокируются при загрузке системы. Этому есть несколько способов, один из которых - внешний бокс, отключить и включить его питание. Внешнего бокса у меня не было, но чудесным образом срабатывает отправка ноута в sleep и пробуждение.

Следующие команды выполняют некую безопасную очистку, я запускал обе, так как уверенности какая из них понадобится, не было. Перед каждой запускал установку мастер-пароля и закрытие крышки ноутбука.

$ sudo hdparm –user-master user –security-erase abc /dev/sda
$ sudo hdparm –user-master u –security-erase-enhanced abc /dev/sda

Теперь совсем для не слабонервных. Сброс установок диска к заводским. Для запуска команды нужен ещё один ключ, который вам подскажет командная строка, и для очищения совести я его здесь приводить не стану, равно как и упомяну, что в документации эта команда помечена как ОСОБО ОПАСНАЯ и НЕ ЗАПУСКАТЬ.
$ sudo hdparm --dco-restore /dev/sda

Итого выводы, которые я сделал для себя:
- держите Live CD под рукой
- не оставляйте ноут совсем без питания на критическом заряде
- делайте бэкапы, в том числе keyring"ов, списков установленных пакетов, конфигов и rsa ключей
- обновляйте прошивки (после того, как вы узнали, что она точно неплохо работает)
- беречь нервы

Хочу дополнительно отметить, что не всегда такой метод полностью восстанавливает функционал, и что иногда диск остаётся глючным, тормозным.

Ещё раз послаю пламенный привет поддержке Intel, и сообщить им, что я так и не могу зайти под своими логином и паролем на их community, чтобы опубликовать этот чудодейственный рецепт у них, и напомнить, что я уже неделю жду от них хотя бы какого-нибудь ответа почему же я не могу этого сделать.

В следующем топике расскажу об интересной статистике смертей SSD, возвратов, починок и ошибок в работе по производителям и моделям.

PS Любимый Хабр, поправь, пожалуйста, отображение тэга "code".
PPS Случайно нашёлся

Бесплатно добиться от системы дополнительного быстродействия всегда приятно — именно поэтому люди занимаются разгоном. Однако в первую очередь оверклокеры разгоняют процессор и видеокарту, поскольку опыты над этими компонентами дают наибольший прирост скорости. Память обычно оставляют на десерт или не трогают вовсе. Одних останавливает тот факт, что разгонять оперативку сложно, других - что процесс этот дарует совсем незначительный бонус к производительности. Случается даже, что разгон памяти виден в бенчмарках и некоторых приложениях и абсолютно не виден в играх. Но для тех, кто в любом случае хочет выжать из своей системы все соки, «Игромания» публикует ликбез по разгону памяти.

Многогранная

Как и в случае с другими компонентами системы, процесс разгона оперативной памяти заключается в изменении рабочих параметров устройства. Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогают шаманские пляски с тремя основными характеристиками - частотой, напряжением и задержками (таймингами).

Что можно сказать о частоте? Чем она больше - тем лучше! Фактически ее значение показывает, сколько полезных тактов могут совершить модули памяти за секунду реального времени. Однако и здесь есть свои нюансы. Дело в том, что для памяти типа DDR, которая используется в современных компьютерах, существует две разных частоты - реальная и эффективная, причем вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная частота.

В чем подвох? Название DDR - это сокращение фразы DDR SDRAM, которая расшифровывается как Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, то есть синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Ключевые слова здесь - удвоенная скорость. В отличие от простой SDRAM (предшественницы DDR), рассматриваемая память взаимодействует с шиной данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала, то есть одному такту шины соответствуют два такта микросхемы памяти. Соответственно, одни разработчики программного обеспечения предпочитают считать именно такты шины (реальную частоту), в то время как другие указывают частоту работы самих чипов (эффективную частоту). Так что если во время разгона вы вдруг обнаружите, что частота памяти ровно в два раза ниже, чем должна быть, то не удивляйтесь, это нормально.

Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным является напряжение 1,8 В, а для DDR3 - 1,5 В. Медленные модули, как правило, придерживаются этих значений, а вот оверклокерские наборы почти всегда работают с повышенными вольтажами: разогнанным чипам не хватает питания, и его приходится увеличивать. Естественно, это ведет к более интенсивному тепловыделению, но если на микросхемах памяти есть радиаторы, то небольшое увеличение напряжения не создает особых проблем. Тем не менее определенные границы лучше не пересекать, иначе модули могут выйти из строя. Для DDR2 разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 - 1,65 В.

Третий ключевой параметр оперативной памяти - задержки (тайминги), и это, определенно, тема для отдельной главы.

Без спешки

Итак, задержки - или тайминги. Прежде чем объяснить, что это такое, не помешает ознакомиться с архитектурой памяти DDR.

Для хранения простейшей единицы информации (бита) в чипах DDR используется ячейка, представляющая собой сочетание транзистора и конденсатора. Подобных ячеек в каждой микросхеме памяти огромное множество. Они выстраиваются в строки и столбцы, которые в конечном счете образуют массивы, называемые банками. Поскольку чипы DDR относятся к динамическому типу памяти, их содержимое необходимо периодически обновлять (подзаряжать), иначе записанная в них информация будет утеряна.

Взаимодействием с ОЗУ занимается так называемый контроллер памяти. Получив от процессора команду на чтение или запись бита данных с логическим адресом, он определяет, в каком банке/строке/столбце располагается нужная ячейка и что с ней следует делать. Проблема заключается в том, что ячейка не может быть обработана мгновенно - должно пройти определенное время (читай: число тактов памяти), прежде чем нужная операция будет выполнена. Задержки, возникающие на определенных этапах чтения/записи битов, и именуются таймингами.

Существует большое количество таймингов, однако ключевое влияние на производительность памяти оказывают лишь некоторые из них. Конкретно - CAS Latency, RAS-to-CAS Delay, Row Precharge Time и Row Active Time. Именно таков их порядок по степени значимости, и именно в такой последовательности они располагаются в BIOS материнских плат и в описаниях к модулям памяти. Например, в технических характеристиках плашек Kingmax DDR3 2400 MHz Nano Gaming RAM есть строка «10-11-10-30» - так вот, это и есть тайминги. Первая цифра показывает значение CAS Latency, вторая - RAS-to-CAS Delay и так далее.

Чтобы понять, за что отвечают те или иные задержки, следует разобраться, как происходит считывание данных из ячеек. Для начала чип памяти должен подготовить к обработке нужную строку и столбец в банке. Для этого им отсылается соответствующая команда, после чего происходит процесс активации строки, занимающий определенное время. Количество тактов, необходимое для «пробуждения» строки, как раз и зовется RAS-to-CAS Delay.

Далее контроллер отправляет нужной последовательности ячеек (ее длина зависит от типа памяти и дополнительных настроек) команду на считывание, однако на шину данных первая порция информации поступает не сразу, а спустя несколько тактов - эта задержка именуется CAS Latency и считается ключевой для модулей памяти. После того как все необходимые данные считаны, контроллером отдается команда на закрытие и подзарядку строки.

А где же два других тайминга? Первый, Row Precharge Time, вступает в силу сразу после закрытия строки. Дело в том, что последующий доступ к этой строке становится возможным не сразу, а лишь после подзарядки, которая отнимает определенное число тактов - за этот интервал и отвечает Row Precharge Time. Ну а тайминг Row Active Time показывает период активности строки, то есть количество тактов, прошедших от момента ее активации до момента поступления команды подзарядки. Фактически эта задержка зависит от параметров RAS-to-CAS Delay, CAS Latency и длины считываемой строки, однако обычно ее значение подбирают простым сложением трех других таймингов. Это не совсем корректно, зато позволяет гарантированно избежать проблем со стабильностью работы при минимальных потерях производительности.

Запись данных в ячейки памяти осуществляется схожим образом, так что рассматривать этот процесс подробно мы не станем. Также не будем акцентировать внимание на дополнительных настройках памяти вроде длины строки и вторичных таймингов - слишком уж незначительно их влияние на общее быстродействие системы. Эти параметры будут интересны оверклокерам, идущим на рекорд, а вовсе не простым пользователям.

Многие начинающие сборщики нередко допускают следующую ошибку: стремясь вооружить системник по максимуму, они устанавливают в материнскую плату модули DDR3 с запредельной рабочей частотой (скажем, 2400 МГц) и остаются в счастливой уверенности, что память в их компьютере уже работает на заявленной скорости. Однако без дополнительных манипуляций со стороны пользователя подобные плашки будут работать в том же режиме, что и их дешевые собратья. Объясняется это тем, что базовые настройки памяти материнская плата черпает из специального чипа SPD (Serial Presence Detect), коим в обязательном порядке оснащается каждый DDR-модуль. Прописанные в SPD частоты и тайминги, как правило, далеки от максимально возможных - это сделано для того, чтобы модули могли стартовать даже в очень слабой системе. Соответственно, такую память приходится дополнительно разгонять.

К счастью, иногда этот процесс можно существенно облегчить. Так, компания Intel уже не первый год продвигает особое расширение для чипа SPD, известное как XMP (Extreme Memory Profiles). Оно записывает в модули памяти информацию о дополнительных настройках системы, которая может быть считана материнскими платами с поддержкой этой технологии. Если материнке удастся подхватить нужный профиль XMP (он выбирается через BIOS), то она автоматически выставит заявленную в нем частоту памяти, подкорректировав ради этого другие параметры системы, - произойдет автоматический разгон. Правда, при этом крайне желательно, чтобы память была сертифицирована для той платформы, на которую она установлена, иначе профиль либо не сработает, либо сработает, но не так, как надо. Кроме того, никогда не лишне перепроверить выставленные автоматикой значения, поскольку некоторые производители памяти умудряются прописывать в профиле XMP такие настройки, от которых система может скоропостижно скончаться. В целом же технология эта очень полезна, но дружит она только с процессорами Intel.

Стоит отметить, что еще до появления XMP компании NVIDIA и Corsair продвигали аналогичную разработку, известную как EPP (Enhanced Performance Profiles), но она не прижилась.

Соковыжималка

С тем, как работает оперативная память, мы разобрались. Теперь осталось понять, как добиться от нее большей производительности, - и вот с этим дело не просто. Существует два разных способа разгона памяти. Первый подразумевает повышение частоты модулей, второй - понижение таймингов. Другими словами: можно либо увеличивать количество тактов в секунду, либо делать сами такты более продуктивными. В идеале, конечно, следует использовать оба метода одновременно, но улучшение одного параметра всегда ведет к ухудшению другого, и подобрать оптимальный баланс нелегко. Нельзя сказать заранее, что окажется полезнее вашей системе - высокочастотная память с ослабленными таймингами или модули, функционирующие на более низкой частоте, но обладающие минимальными задержками.

Если вы готовы драться за каждый лишний балл в каком-нибудь PCMark, то мы рекомендуем перепробовать несколько различных соотношений частоты и таймингов и выбрать тот, что дает наилучший результат конкретно для вашей системы. В противном случае будет разумнее сначала увеличить тайминги, потом найти частотный потолок для используемых модулей памяти, а затем попытаться вновь снизить задержки - как показывает практика, такой подход чаще оказывается выигрышным. При этом на протяжении всего пути не стоит сильно отклоняться от базового соотношения таймингов: первые три задержки должны быть примерно одинаковыми, а для четвертой желательно выставлять значение равное сумме этих таймингов или чуть ниже.

При разгоне памяти нельзя обойтись без помощи тестов, измеряющих производительность системы, - именно они позволят оценить, насколько велик прирост быстродействия вследствие ваших манипуляций и есть ли он вообще. Может показаться парадоксальным, но порою понижение таймингов или увеличение частоты оперативки может негативно сказаться на скорости работы компьютера - случаются такие сюрпризы нечасто, но отмахиваться от них не стоит. В общем, без бенчмарков никуда. Какое ПО лучше всего использовать? Мы советуем джентльменский набор из PCMark , Everest и WinRAR (встроенный тест), но вообще список диагностических утилит для памяти обширен - выбирайте то, что больше по душе. Кстати говоря, бенчмарки полезны еще и потому, что позволяют проверить память на стабильность работы. А после того, как разгон будет считаться завершенным, не помешает дополнительно помучить компьютер стресс-тестами вроде OCCT и S&M , дабы окончательно убедиться в стабильности системы.

Проводя эксперименты, не стоит забывать о повышении напряжения, причем речь идет не только о самих модулях, но и о контроллере памяти - нередко именно он мешает раскрыть весь потенциал разгоняемых плашек. Ранее на платформах Intel этот важный элемент системы располагался в северном мосту чипсета, однако с недавних пор он окончательно переселился в центральные процессоры, поэтому на современных платформах увеличение напряжения на контроллере негативно сказывается на температуре ЦП. Таким образом, иногда для эффективного разгона памяти приходится дополнительно усиливать охлаждение процессора, а не самих модулей. Предостережем: не повышайте напряжение на контроллере более чем на четверть, это может привести к печальным последствиям.

Наконец, стоит заранее определиться, каким образом будет осуществляться разгон. Можно либо воспользоваться специальной утилитой, либо изменять необходимые параметры непосредственно в BIOS. Мы настоятельно рекомендуем взять на вооружение второй вариант, поскольку ни одна программа не в состоянии раскрыть все возможности, предоставляемые системной платой. Соответственно, перед проведением опытов не помешает внимательно изучить инструкцию к материнке - это позволит понять, что именно скрывается под тем или иным пунктом в BIOS. Так уж сложилось, что каждый производитель стремится ввести в обиход свои собственные обозначения, и даже такие, казалось бы, общепринятые термины, как названия таймингов, могут варьироваться от платы к плате.

И еще: не стоит сразу впадать в панику, если на определенном этапе разгона система вдруг напрочь откажется стартовать. Как правило, это означает лишь, что материнская плата не может автоматически сбросить неприемлемые для нее настройки BIOS. Встречается данная болезнь не так часто и лечится она банальным выниманием батарейки из платы. А вот если это не поможет - тогда уже можно и паниковать.

Индивидуальный подход

Когда дело доходит непосредственно до ковыряния в многочисленных меню, становится понятно, что изменять тайминги куда проще, чем частоту памяти. Это в видеокартах все элементарно: потянул в специальной утилите ползунок вправо - получил нужную прибавку к частоте. С полноценными DDR-модулями все намного сложнее.

Основные проблемы связаны с тем, что скорость работы оперативки зависит сразу от двух параметров - опорной частоты (FSB, BCLK) и множителя. Перемножая эти значения, мы получаем итоговую частоту ОЗУ. Однако простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам, ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы. Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно.

На разных платформах изменение опорной частоты приводит к разным последствиям. Кроме того, нередко ради повышения скорости работы памяти требуется изменить рабочие параметры других исполнительных блоков системы. Словом, к каждой платформе нужен свой подход, так что мы постараемся разобрать основные нюансы для каждого случая. Рассматривать все возможные конфигурации мы, разумеется, не станем - сосредоточимся на десктопных платформах, появившихся в последние несколько лет. У всех них контроллер памяти располагается в процессоре, так что можно сказать, что особенности разгона зависят от того, какой именно кусок кремния является сердцем системы. Итак, хит-парад самых актуальных на сегодняшний день процессоров...

Intel Sandy Bridge

Новейшие процессоры Intel , представленные двухтысячной линейкой Core i3/i5/i7 , придутся по душе оверклокерам-новичкам. Матерые адепты разгона считают, что с приходом Sandy Bridge разгонять систему стало слишком скучно. Все дело в том, что в этих процессорах опорная частота (у Intel она зовется BCLK), от которой пляшут все основные исполнительные блоки, практически не поддается изменению - стоит отклонить ее на какие-то 6-7 МГц, и система начинает вести себя неадекватно. Соответственно, старые добрые приемы в случае с Sandy Bridge не работают, поэтому единственный способ разогнать оперативку (как, впрочем, и процессор) - увеличивать соответствующий множитель. Благо контроллер памяти, встроенный в новые процессоры, вышел довольно шустрым, и частота в 2133 МГц ему покоряется без проблем. Поскольку трогать BCLK настоятельно не рекомендуется, итоговая опорная частота памяти в любом случае должна быть кратна 266 МГц, то есть не любой набор DDR3 удастся завести именно на той частоте, что заявлена его производителем. Скажем, модули DDR3-2000, встретившись с новыми процессорами Intel, будут работать как DDR3-1866.

Заметим, что одного лишь процессора Sandy Bridge для эффективного разгона ОЗУ недостаточно - нужна еще и подходящая материнская плата. Все дело в том, что Intel искусственно ограничила оверклокерские возможности не только процессоров (множитель можно увеличить лишь у моделей с индексом «К»), но и чипсетов. Так, младшие наборы логики память разгонять не умеют, поэтому в системных платах на их основе даже самые скоростные модули будут работать как DDR3-1333. А вот чипсет Intel P67 Express , позиционирующийся как решение для энтузиастов, поддерживает режимы вплоть до DDR3-2133, поэтому к выбору материнской платы под Sandy Bridge стоит подходить со всей основательностью.

Как определить, подходят ваши конкретные модули для разгона или нет? Если плашки изначально не относятся к оверклокерскому классу (то есть их частота не превышает рекомендованных создателями процессоров значений), то отталкиваться стоит прежде всего от их производителя, рабочего напряжения и системы охлаждения.

Про производителя, думаем, объяснять не стоит: именитые компании используют проверенные чипы, возможности которых, как правило, не до конца исчерпаны, а вот от китайского нонейма ожидать выдающегося разгонного потенциала не стоит. Рабочее напряжение также позволяет определить, насколько микросхемы близки к пределу своих возможностей: чем меньше вольт подается на чипы по умолчанию, тем сильнее можно будет увеличить напряжение самостоятельно и тем выше будет частотный потенциал. Ну а качественные радиаторы позволяют эффективнее отводить тепло от чипов, что позволяет выжать из плашек чуть больше производительности.

Intel Bloomfield

Любимцы энтузиастов - процессоры Core i7 девятисотой серии - обладают феноменальной вычислительной мощностью, однако с их помощью очень сложно заставить память работать на запредельных частотах. Отчасти это компенсируется тем, что контроллер памяти у Bloomfield может работать в трехканальном режиме, недоступном другим рассматриваемым платформам.

При работе с Core i7-9хх возможности оверклокерских модулей, как правило, упираются в недостаточную производительность процессорного блока Uncore. Последний состоит из контроллера памяти и L3-кэша, а скорость его работы напрямую зависит от BCLK. При этом существует правило, что частота этого блока должна быть как минимум в два раза выше частоты работы памяти, то есть, например, для нормального функционирования плашек в режиме DDR3-1800 придется завести Uncore на 3600 МГц. Проблема заключается в том, что этот самый блок получился большим и горячим. Работу в нештатном режиме он не любит, и подаваемое на него напряжение необходимо существенно увеличивать (но не выставлять выше 1,4 В!). В итоге, даже если не разгонять вычислительные блоки процессора, Uncore с частотой 4000 МГц разогреет кристалл так, что не всякий кулер справится. Поэтому пересечь черту в 2000 МГц для памяти, не применяя серьезное охлаждение, крайне сложно. А поскольку разгонять память, не повышая частоту процессора, не очень разумно, можно констатировать, что среднестатистическому компьютеру на базе Bloomfield скоростная память вообще не нужна - какой-нибудь DDR3-1600 хватит с лихвой.

Любопытно, что модели семейства Core i7-9хх предоставляют в распоряжение пользователя внушительный набор множителей для памяти - они покрывают диапазон от 6х до 16х с шагом 2х. Для Uncore множитель так и вовсе можно выкручивать до 42х. Ну а поскольку штатная частота BCLK у Bloomfield равна 133 МГц, к максимально возможным для памяти значениям частоты можно подобраться, даже не трогая тактовый генератор. Впрочем, играясь и с BCLK, и с множителем, опытный оверклокер в любом случае сможет выжать из плашек еще немного бонусных мегагерц.

Intel Lynnfield

Процессоры линеек Core i7-8хх и Core i5-7хх , построенные на архитектуре Lynnfield, - это, пожалуй, лучший выбор для тех, кто хочет поставить рекорд частоты модулей памяти. Чтобы убедиться в этом, достаточно взглянуть, какие процессоры используются нынешними рекордсменами.

Секрет успеха Lynnfield в том, что для стабильной работы оперативки частота Uncore у этих кристаллов необязательно должна быть в два раза больше частоты памяти. Intel решила вообще заблокировать множитель ненавистного оверклокерами блока: для восьмисотых моделей Core i7 он зафиксирован на отметке 18х, а для семисотых - на 16х. Максимальные множители памяти для этих процессоров равны 12х и 10х соответственно. Таким образом, Uncore больше не выступает в роли бутылочного горлышка при разгоне памяти, поэтому «набор высоты» проходит легко и непринужденно.

Процессор из линейки Core i7-8хх без труда сможет выжать максимум из любого набора памяти: до 1600 МГц (133х12) можно добраться, не трогая BCLK, ну а дальше в ход идут эксперименты с опорной частотой. У семисотых Core i7 возможности чуть скромнее, но и их рядовому пользователю должно хватить с лихвой. Конечно, при значительном увеличении BCLK блок Uncore хорошенько разогреется (его рабочее напряжение придется усилить), однако к тому времени модули уже будут работать на пределе возможностей. Вообще же в таких случаях крайне желательна мощная система охлаждения процессора.

Intel Clarkdale

Бюджетные процессоры Intel со встроенной графикой, представленные семействами Core i5-6хх , Core i3 и Pentium G , плохо дружат с памятью. Увы, в целях экономии в этих моделях контроллер памяти вместе с графическим ядром вынесен на отдельный кристалл, который соединен с вычислительными ядрами шиной QPI. Использование шины плохо сказывается на производительности контроллера, так что от скоростной памяти в системе с Clarkdale особого толка не будет.

Разгон памяти, работающей в тандеме с обозначенными процессорами, осуществляется самым обычным образом: увеличиваем множитель, подкручиваем частоту BCLK (по умолчанию она равна 133 МГц). Никаких подводных камней нет, разве что при сильном разгоне придется понизить множитель QPI и увеличить напряжение, подаваемое на L3-кэш (пресловутый Uncore). Старшие Clarkdale, как правило, могут завести оверклокерскую память на частотах около 2000 МГц, что не так уж и плохо. Другое дело, что прирост быстродействия системы от увеличения скорости работы плашек будет совсем уж мизерным. Что касается максимального множителя для памяти, то он зависит от конкретной модели процессора: для «пентиумов» он равен 8х, а у Core i5-6хх и Core i3 - 10х. Кроме того, существует еще Core i5-655K , созданный специально для разгона, - он поддерживает множитель 16х, но лишь немногие материнские платы знают о его возможностях.

AMD Phenom II/Athlon II

В последние годы каждая новая процессорная архитектура от Intel привносит какие-то новые особенности, связанные с разгоном. С AMD все иначе - алгоритм раскочегаривания этих кристаллов уже давно практически не претерпевает изменений. Вероятно, что вместе с выходом процессоров Llano , оснащенных встроенным графическим ядром, этой стабильности придет конец, ну а пока что мы рассмотрим, каким образом разгоняется память, работающая в тандеме с нынешними решениями AMD - Phenom II и Athlon II .

В качестве опорной частоты для памяти в данном случае выступает частота системной шины (HT Clock по терминологии AMD), которая по умолчанию равна 200 МГц. Изменение этого параметра сказывается на режиме работы процессора, контроллера памяти (этот блок обычно обозначается как CPU NB) и шины HyperTransport Link. По этой причине в поисках частотного потолка вашего ОЗУ следует понизить множители для процессора и HT Link, а вот контроллер памяти, напротив, глушить не стоит. Его частота должна быть по крайней мере в три раза выше, чем реальная частота памяти (и, соответственно, в полтора раза выше, чем частота эффективная), иначе стабильность системы не гарантируется. Вместе с тем чем быстрее работает контроллер, то тем больше шансов выдавить из модулей памяти лишние мегагерцы или понизить их тайминги. Можно даже слегка задрать напряжение CPU NB, чтобы достичь лучшего результата, но сильно увлекаться не стоит.

Следует отметить, что на платформах AMD память разгоняется хуже, чем на платформах Intel и, как правило, отметку в 2000 МГц оверклокерам покорить не удается. Таким образом, покупать для такой системы сверхбыстрые планки DDR3 нет особого смысла. Учтите, что режимы работы до DDR3-1600 МГц включительно можно активировать изменением множителя, однако при дальнейшем разгоне в любом случае придется мучить тактовый генератор.

* * *

Как видно, изменять опорную частоту при более-менее серьезном разгоне памяти приходится практически всегда (а если бы на свете не существовало Sandy Bridge, это высказывание было бы еще более категоричным). Да, порою серьезных частот можно достичь посредством одних лишь множителей, однако шаг между доступными для активации значениями частоты в этом случае оказывается слишком велик, поэтому для более точного нахождения частотного потолка все равно приходится шаманить с тактовым генератором. Ну а это, как известно, приводит к изменению частоты процессора.

Мораль такова: если уж заниматься разгоном памяти серьезно, то параллельно стоит разгонять и процессор. В самом деле, зачем выжимать все соки из плашек и одновременно пытаться сдерживать рабочую частоту процессора, если даже незначительный разгон ЦП даст куда больший эффект, чем все опыты над памятью? Таким образом, прежде чем браться за разгон памяти, будет неплохо узнать, какие частоты способен покорить ваш процессор. Ну а после придется искать баланс между скоростью работы кристалла и частотой/таймингами оперативки, ведь обычно выставить максимально привлекательные значения обоих компонентов разом не получается.

Сложно? Что ж, никто не мешает вам просто слегка подкрутить тайминги или увеличить множитель памяти, а после наслаждаться свалившимся из ниоткуда быстродействием, не углубляясь в дальнейший разгон компьютера. Не хотите раскрывать весь потенциал системы - не надо. Ну а господам энтузиастам мы желаем удачи в этом нелегком, но интересном деле.