Любое сложное электронное устройство состоит из более простых активных и пассивных компонентов. К активным элементам относят транзисторы, диоды, электронные лампы, микросхемы, способные усиливать электрические сигналы по мощности; пассивными радиокомпонентами считаются резисторы, конденсаторы, трансформаторы. Давайте проанализируем этапы становления электроники в историческом срезе


Историю развития электроники можно условно разделить на четыре периода. Первый период относится к концу 19 века . В этот период были открыты или расшифрованы из источников древних основные физические закономерности работы электронных приборов и открыты различные явления, стимулирующие их развитие и использование. Началом развития ламповой техники принято считать открытие русским ученым электротехником А. Н. Лодыгиным обычной лампы накаливания.

На ее базе уже 1883 г. американский инженер Т. А. Эдисон открыл и описал явление термоэлектронной эмиссии и прохождения электрического тока через вакуум. Русский физик А. Г. Столетов в 1888 г. открыл основные законы фотоэффекта. Важнейщую роль в развитии электроники сыграло открытие русским ученым в 1895 г. А. С. Поповым возможности передачи радиоволн на растояние . Это открытие дало огромный импульс развития и внедрения различных электронных приборов в практику; так появился спрос на устройствадля генерации, усиления и детектирования электрических сигналов.

Второй этап истории развития электроники охватывает первую половину 20-го века. Этот период характеризуется разработкой и совершенствованием электровакуумных приборов и систематизированным изучением их физических свойств. В 1904 г. была сделана простейшая двухэлектродная электронная лампа - диод , нашедший широчайшее применение в радиотехнике для детектирования электрических колебаний. Спустя всего несколько лет в 1907 г. изготовлена трехэлектродная лампа - триод , усиления электрических сигналов. В России первые образцы ламп были изготовлены в 1914-1915 гг. под руководством Н. Д. Папалекси и М. А. Бонч-Бруевича.

Но развязанная англичанами и немцами первоя мировая война, препятствовала работе по созданию новых типов электронных ламп. После государственного переворота проплаченного англосаксами 1917 года несмотря на сложнейшее финансовое состояние начала создаваться отечественная радиотехническая промышленность. В 1918 г. начинает работать Нижегородская радиолаборатория под руководством М. А. Бонч-Бруевича - первое научно-исследовательское учреждение по вопросам радио и электровакуумной техники. Уже в тяжелейшем для страны 1919 году лаборатории были изготовлены первые образцы отечественных приемно-усилительных радиоламп, а в 1921 г. разработаны первые мощные электронные лампы с водяным охлаждением. Существенный вклад в развитие электровакуумной техники и массового производства радиоламп внес коллектив построенного в 1922 г. Ленинградского электролампового завода впоследствии именуемого «Светлана».

В дальнейшем развитие электровакуумных приборов для усиления и генерирования электрических колебаний шло семи мильными шагами. Освоение радиотехникой гектометровых (X=1000-f-100 м) и декаметровых (А=100-10 м) волн потребовало разработки высокочастотных ламп. В 1924 г. были изобретены четырехэлектродные лампы (тетроды) , в 1930 г. - пятиэлектродные (пентоды ), в 1935 г. - многосеточные частотно-преобразовательные лампы (гептоды ). В 30-х и начале 40-х годов наряду с усовершенствованием обычных ламп были разработаны лампы для дециметровых (А-100-н 10 см) и сантиметровых (А=10ч-1 см) волн - магнетроны, клистроны, лампы бегущей волны.

Параллельно с разработкой электронных создавались электронно-лучевые, фотоэлектрические, ионные приборы, в создание которых существенный вклад внесли российские инженеры. К середине 30 х годов в основном сформировалась ламповая электроника. Развитие электровакуумной техники в последующие годы шло по-пути снижения габаритов приборов, улучшения их параметров и характеристик, увеличения рабочей частоты, повышения надежности и долговечности.

История развития электроники. Третий период относится к концу 40-х и началу 50-х годов, характеризующихся бурным развитием дискретных полупроводниковых приборов. Развитию полупроводниковой электроники предшествовали работы в области физики твердого тела. Большие заслуги изучения физики полупроводников принадлежат школе советских физиков, длительное время возглавляемой академиком А. Ф. Иоффе. Теоретические и экспериментальные исследования электрических свойств полупроводников, выполненные советскими учеными А. Ф. Иоффе, И. В. Курчатовым, В. П. Жузе, В. Г. Лошкаревым и другими, позволили создать стройную теорию полупроводников и определить пути их применения.

Начало кремниевого века В 1947 году, положили в недрах лабораторий телефонной компании Bell где «родился» первый в в текущем цикле транзистор – полупроводниковый усилительный элемент. Событие ознаменовало собой переход электроники из громоздких вакуумных труб на более компактные и экономичные полупроводники. Начался новый виток цивилизации, получивший название «кремниевый век». Предполагается, что как раз знания от полупроводников смогли расшифровать от предыдущего цикла развития цивилизации на Земле

Первые промышленные образцы полупроводниковых приборов - , способных усиливать и генерировать электрические колебания, были предложены в 1948 г. С появлением транзисторов начинается период покорения электроники полупроводниками. Способность транзисторов работать при низких напряжениях и токах позволила уменьшить размеры всех элементов в схемах, открыла возможность миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры. Одновременно с разработкой новых типов приборов велись работы по совершенствованию технологических методов их изготовления.

В первой половине 50-х годов был разработан метод диффузии легирующих примесей в полупроводниковые материалы, а в начале 60-х годов - планарная и эпитаксиальная технология, на многие годы определившие прогресс в производстве полупроводниковых структур. 50-е годы знаменуются открытиями в области физики твердого тела и переходом к квантовой электронике, приведшей к развитию лазерной техники. Большой вклад в развитие этой отрасли науки и техники внесли советские ученые Н. Г. Басов и А. М. Прохоров, удостоенные Ленинской (в 1959 г.) и Нобелевской (в 1964 г.) премий.

Четвертый период развития электроники берет начало в 60-е годы прошлого века. Он характеризуется разработкой и практическим освоением интегральных микросхем , совместивших в едином технологическом цикле производство активных и пассивных элементов функциональных устройств. Уровень интеграции БИС достигает тысяч элементов в одном кристалле. Освоение выпуска больших и сверхбольших интегральных схем позволило перейти к созданию функционально законченных цифровых устройств - микропроцессоров, рассчитанных на совместную работу с устройствами памяти и обеспечивающих обработку информации и управление по заданной программе.

Достижения полупроводниковой электроники явились фактором появления микроэлектроники. Далее развитие электроники идет по пути микроминиатюризации электронных устройств, повышения надежности, экономичности электронных приборов и интегральных микросхем ИМС, улучшения их качественных показателей, уменьшения разброса параметров, расширения частотного и температурного диапазонов. Начатая в 50-е годы «транзисторизация» электронного оборудования и на ближайшие годы останется символом полупроводниковой электроники в ее качественно новом виде - интегральной электронике. Важное значение приобретает развитие нового направления электроники - оптоэлектроники, сочетающей электрические и оптические способы преобразования и обработки сигнала (преобразование электрического сигнала в оптический, а затем оптического снова в электрический).

История развития электроники. Пятым этапом можно назвать полупроводники в процессорах . Или закат эпохи кремния. В передовых областях современной электроники, как разработка и производство процессоров, где размер и скорость полупроводниковых элементов стали играть решающую роль, развитие технологий использования кремния практически подошло к своему физическому пределу. В последнии годы улучшение производительности интегральных схем, достигающееся путем наращивания рабочей тактовой частоты и увеличения количества транзисторов.

С увелечением скорости переключения транзисторов, их тепловыделение усиливается по экспоненте. Это остановило в 2005 году максимальную тактовую частоту процессоров где-то в районе 3 ГГц и с тех пор увеличивается лишь «многоядерность», что собственно по сути является топтанием на месте.

Небольшие подвижки есть лиши в количественной интеграции полупроводниковых элементов в одном чипе путем уменьшения их физических размеров – переход на более тонкий технологический процесс. По состоянию на 2009-11 годы во всю использовалась технология в 32 нм при которой длина канала транзистора составляет всего 20 нм. Переход на более тонкий технологически процесс 16 нм началась лишь в 2014 году.

Быстродействие транзисторов по мере их уменьшения растет, но уже не возможен рост тактовой частота ядра процессора, как было до 90 нм технологического процесса. Это говорит лишь о тупике развития кремниевых технологий, хотя они будут использоваться по меньшей мере еще столетие, если конечно не будет осуществлена перезагрузка седьмого цикла цивиализации в этой солнечной системе.

В ближайшее десятилетие должны быть обнародованы графеновые разработки , особенно в этом продвинулись некоторые российские институты благодоря расшифровки информации от предыдущего цикла, названия которых я пока указать не могу.

Графен - это полупроводниковый материал, повторно открытый лишь 2004 году. В нескольких лабораториях уже синтезирован транзистор на базе графена, который может работать в трех устойчивых состояниях. Для аналогичного решения в кремниевом исполнение, потребовалось бы три отдельных полупроводниковых транзистора. Это позволит в недалеком будущем создавать интегральные схемы из меньшего количества транзисторов, которые будут выполнять те же функции, что и их устаревшие кремниевые аналоги.

Еще одним важным преимуществом графеновых полупроводников является их способность работать на высоких частотах. Причем, эти частоты могут достигать 500-1000 ГГц.

Лицензионное соглашение.

Данную книгу разрешается копировать, размножать и печатать, если это делается на некоммерческой основе и не извлекается выгода. В случае её коммерческого применения, например, если Вы хотите продавать, сдавать в прокат, аренду всю книгу «Электронная техника» или любую её часть, то на это требуется согласие её автора (Москатова Евгения Анатольевича) за гонорар. Перек омпоновка книги з апрещается. Запрещается изменять содержимое книги, удалять сведения об авторстве. Книга распространяется “как есть”, то есть её автор не несёт ответственности за возможный ущерб, упущенную выгоду и прочее. В случае некоммерческой публикации (например, на сервере бесплатных материалов) следует поставить автора в известность, а также явно указать авторство и источник, с которого произведена публикация.

Материал, изложенный в книге, разбит на следующие разделы и темы.

Раздел 1. Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы
Тема 1. Движение электронов в электрических и магнитных полях
1) Движение электронов в ускоряющем электрическом поле
2) Движение электрона в тормозящем электрическом поле
3) Движение электрона в поперечном электрическом поле
4) Движение электрона в магнитных полях
5) Зонная энергетическая диаграмма
Тема 2. Электропроводность полупроводников
1) Собственная проводимость полупроводников
2) Примесная проводимость полупроводников
3) Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
Тема 3. Электронно-дырочный (p-n) переход
1) Образование электронно-дырочного перехода
2) Прямое и обратное включение p-n перехода
3) Свойства p-n перехода
Тема 4. Переход Шоттки
1) Образование перехода Шоттки
2) Прямое и обратное включение диодов Шоттки
Тема 5. Некоторые эффекты полупроводника
1) Тоннельный эффект
2) Эффект Гана
3) Эффект Холла
Раздел 2. Полупроводниковые приборы
Тема 6. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов
1) Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
2) Конструкция полупроводниковых диодов
3) Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
Тема 7. Выпрямительные диоды
1) Общая характеристика выпрямительных диодов
2) Включение выпрямительных диодов в схемах выпрямителей
Тема 8. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды
1) Стабилитроны
2) Варикапы
3) Фотодиоды
4) Светодиоды
Тема 9. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды
1) Импульсные диоды
2) Диоды ВЧ
3) СВЧ диоды
Раздел 3. Биполярные транзисторы
Тема 10. Устройство, классификация и принцип действия биполярных транзисторов
1) Классификация и маркировка транзисторов
2) Устройство биполярных транзисторов
3) Принцип действия биполярных транзисторов
Тема 11. Схемы включения биполярных транзисторов
1) Схема включения с общей базой ОБ
2) Схема включения с общим эмиттером ОЭ
3) Схема включения с общим коллектором ОК
4) Усилительные свойства биполярного транзистора
Тема 12. Статические характеристики транзисторов
1) Статические характеристики транзистора по схеме ОБ
2) Статические характеристики транзистора по схеме ОЭ
Тема 13. Динамический режим работы транзистора
1) Понятие о динамическом режиме
2) Динамические характеристики и понятие рабочей точки
3) Ключевой режим работы транзистора
Тема 14. Эквивалентная схема транзистора
1) Эквивалентная схема транзистора с ОБ
2) Эквивалентная схема транзистора с ОЭ
3) Эквивалентная схема транзистора с ОК
4) Транзистор как активный четырёхполюсник
Тема 15. Система h-параметров транзистора. Y-параметры
1) h-параметры и их физический смысл
2) Определение h-параметров по статическим характеристикам
3) Y-параметры транзисторов
Тема 16. Температурные и частотные свойства транзисторов. Фототранзисторы
1) Температурное свойство транзисторов
2) Частотное свойство транзисторов
3) Фототранзисторы
Раздел 4. Полевые транзисторы
Тема 17. Представление о полевых транзисторах
1) Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
2) Характеристики и параметры полевых транзисторов
3) Полевые транзисторы с изолированным затвором
4) Полевые транзисторы для ИМС, репрограммирующих постоянных запоминающих устройств (РПЗУ)
Раздел 5. Тиристоры
1) Устройство и принцип действия динисторов
2) Основные параметры тиристоров
3) Тринисторы
4) Понятие о симисторах
Раздел 6. Электровакуумные приборы
Тема 18. Электровакуумный диод
1) Электровакуумный диод, устройство и принцип действия электровакуумного диода
2) ВАХ и основные параметры электровакуумного диода
Тема 19. Триод
1) Устройство и принцип действия триода
2) ВАХ и основные параметры триода
Тема 20. Тетрод
1) Устройство и схема включения тетрода
2) Динатронный эффект
3) Лучевой тетрод
Тема 21. Пентод
Раздел 7. Цифровая микросхемотехника
Тема 22. Основы микроэлектроники
1) Классификация и УГО интегральных микросхем (ИМС)
2) Элементы и компоненты гибридных ИМС (ГИС)
3) Элементы и компоненты полупроводниковых ИМС
Раздел 8. Булева алгебра
Тема 23. Простейшие логические функции и логические элементы
1) Логические функции и их реализация
2) Схемотехника простейших логических элементов
3) Характеристики и параметры цифровых ИМС
Тема 24. Транзисторно-транзисторная логика
1) Основные типы логики и понятие о многоэмиттерном транзисторе
2) Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) с простым инвертором
3) ТТЛ со сложным инвертором
Тема 25. Логические элементы ТТЛ со специальными выводами
1) ТТЛ с открытым коллектором
2) ТТЛ с Z-состоянием
3) ТТЛШ
4) Оптоэлектронные ИМС
Тема 26. Логические элементы на полевых транзисторах МОП – структуры
1) Ключи на МОП – транзисторах
2) Комплементарная МОП - пара (КМОП)
3) Реализация функции И-НЕ в КМОП – логике
4) Реализация функции ИЛИ-НЕ в КМОП – логике
Тема 27. Эмиттерно-связная логика
1) Реализация функций ИЛИ и ИЛИ-НЕ в эмиттерно-связной логике (ЭСЛ)
2) Источник опорного напряжения
3) Базовый элемент ЭСЛ серии К500
Раздел 9. Аналоговые электронные устройства
Тема 28. Классификация и основные технические показатели усилителей
1) Классификация усилителей
2) Основные технические показатели усилителей
3) Характеристики усилителей
Тема 29. Питание цепи базы транзисторов и температурная стабилизация рабочей точки
1) Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным током базы
2) Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы
3) Температурная стабилизация (термостабилизация) рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода
4) Термостабилизация рабочей точки при помощи отрицательной обратной связи (ООС) по постоянному напряжению
5) Термостабилизация рабочей точки при помощи ООС по постоянному току
Тема 30. Обратная связь в усилителе
1) Виды обратной связи
2) Влияние ООС на основные показатели усилителя
Тема 31. Режимы работы усилительных элементов
1) Понятие о проходной динамической характеристике
2) Режим работы класса А
3) Режим работы класса В
4) Режим работы класса АВ
5) Режим работы класса С
6) Режим работы класса D
Тема 32. Межкаскадные связи в усилителях
1) Виды межкаскадных связей
2) Эквивалентная схема усилительного каскада с резисторно - ёмкостными связями
3) Анализ эквивалентной схемы на низких, средних и высоких частотах
Тема 33. Выходные каскады усиления
1) Однотактный выходной трансформаторный каскад
2) Двухтактный выходной трансформаторный каскад
3) Двухтактный выходной бестрансформаторный каскад
Тема 34. Усилители постоянного тока с непосредственными связями
1) Усилители постоянного тока с непосредственными связями
2) Дифференциальный каскад УПТ
Тема 35. Операционные усилители
1) Классификация и основные параметры операционных усилителей (ОУ)
2) Схемы включения ОУ
Раздел 10. Устройства отображения информации
Тема 36. Электронно-лучевые трубки и кинескопы
1) Электронно-лучевые трубки (ЭЛТ) с электростатическим управлением
2) ЭЛТ с электромагнитным управлением
3) Кинескопы
4) Цветные кинескопы
Тема 37. Индикаторы
1) Буквенно-цифровые индикаторы
2) Матричные индикаторы
3) Вакуумные электролюминесцентные индикаторы
4) Жидкокристаллические индикаторы
Заключение
Приложение
Решение типовых задач по курсу "Электронная техника"

И радаров , которые нашли широкое применение во время Второй мировой войны .

Но электронные лампы обладали существенными недостатками. Это прежде всего большие размеры и высокая потребляемая мощность (что было критичным для переносных устройств). Поэтому начала развиваться твердотельная электроника , а в качестве элементной базы стали применять диоды и транзисторы .

Дальнейшее развитие электроники связано с появлением компьютеров . Компьютеры, основанные на транзисторах, отличались большими размерами и потребляемой мощностью, а также низкой надежностью (из-за большого количества деталей). Для решения этих проблем начали применяться микросборки , а затем и микросхемы . Число элементов микросхем постепенно увеличивалось, стали появляться микропроцессоры . В настоящее время развитию электроники способствует появление сотовой связи , а также различных беспроводных устройств, навигаторов , коммуникаторов , планшетов и т. п.

Основными вехами в развитии электроники можно считать:

  • изобретения А. С. Поповым радио (7 мая 1895 года), и начало использования радиоприёмников ,
  • изобретение Ли де Форестом лампового триода , первого усилительного элемента,
  • использование Лосевым полупроводникового элемента для усиления и генерации электрических сигналов,
  • развитие твердотельной электроники,
  • использование проводниковых и полупроводниковых элементов (работы Иоффе , Шотки),
  • изобретение в 1947 году транзистора (Уильям Шокли , Джон Бардин и Уолтер Браттейн),
  • создание интегральной микросхемы и последующее развитие микроэлектроники, основной области современной электроники.

Области электроники

Можно различать следующие области электроники:

  • физика (микромира, полупроводников, электромагнитных волн, магнетизма, электрического тока и др.) - область науки, в которой изучаются процессы, происходящие с заряженными частицами ,
  • бытовая электроника - бытовые электронные приборы и устройства , в которых используется электрическое напряжение, электрический ток, электрическое поле или электромагнитные волны. (Например телевизор, мобильный телефон, утюг, лампочка, электроплита,.. и др.).
  • Энергетика - выработка, транспортировка и потребление электроэнергии, электроприборы высокой мощности (например электродвигатель , электрическая лампа , электростанция), электрическая система отопления , линия электропередачи .
  • Микроэлектроника - электронные устройства, в которых в качестве активных элементов используются микросхемы :
    • оптоэлектроника - устройства в которых используются электрический ток и потоки фотонов,
    • аудио-видеотехника - устройства усиления и преобразования звука и видео изображений,
    • цифровая микроэлектроника - устройства на микропроцессорах или логических микросхемах. Например: электронный калькулятор , компьютер , цифровой телевизор , мобильный телефон , принтер , робот , панель управления промышленным оборудованием, средствами транспорта, и другие бытовые и промышленные устройства.

Изучению различных аспектов электроники посвящены многие научные дисциплины технических вузов .

Твердотельная электроника

История твердотельной электроники

Термин твердотельная электроника появился в литературе в середине XX века для обозначения устройств на полупроводниковой элементной базе: транзисторах и полупроводниковых диодах, заменивших громоздкие низкоэффективные электровакуумные приборы - радиолампы. Корень «тверд» использован здесь, потому что процесс управления электрическим током происходит в твёрдом теле полупроводника в отличие от вакуума, как это происходило в электронной радиолампе. Позднее, в конце XX века этот термин потерял своё значение и постепенно вышел из употребления, поскольку практически вся электроника нашей цивилизации начала использовать исключительно полупроводниковую твердотельную активную элементную базу.

Миниатюризация устройств

С рождением твердотельной электроники начался революционно быстрый процесс миниатюризации электронных приборов. За несколько десятков лет активные элементы уменьшились в десять миллиардов раз - с нескольких сантиметров электронной радиолампы до нескольких нанометров интегрированного на полупроводниковом чипе транзистора.

Технология получения элементов

Активные и пассивные элементы в твердотельной электронике создаются на однородном сверхчистом кристалле полупроводника, чаще всего кремния, методом инжекции или напыления новых слоев в определённых координатах тела кристалла атомов иных химических элементов, молекул более сложных, в том числе и органических веществ. Инжекция меняет свойства полупроводника в месте инжекции (легирования) меняя его проводимость на обратную, создавая таким образом диод или транзистор или пассивный элемент: резистор, проводник, конденсатор или катушку индуктивности, изолятор, теплоотводящий элемент и другие структуры. В последние годы широко распространилась технология производства источников света на кристалле. Огромное количество открытий и разработанных технологий использования твердотельных технологий ещё лежат в сейфах патентообладателей и ждут своего часа.

Технологию получения полупроводниковых кристаллов, чистота которых позволяет создавать элементы размером в несколько нанометров, стали называть нанотехнологией , а раздел электроники - микроэлектроникой.

Следующим этапом в эволюции электроники возможно станет оптоэлектроника, в которой несущим элементом выступит фотон, значительно более подвижный, менее инерционный чем электрон/«дырка» в полупроводнике твердотельной электроники.

Основные твердотельные приборы

Основные твердотельные активные приборы, используемые в электронных устройствах:

  • Диод - проводник с односторонней проводимостью от анода к катоду. Разновидности: туннельный диод , лавинно-пролётный диод , диод Ганна , диод Шоттки и др.;
  • Биполярные транзисторы - транзисторы с двумя физическими p-n-переходами , ток Коллектор-Эмиттер которого управляется током База-Эмиттер;
  • Полевой транзистор - транзистор, ток Исток-Сток которого управляется Напряжением на p-n- или n-p-переходе Затвор-Сток или потенциалом на нём в транзисторах без физического перехода - с затвором, гальванически изолированным от канала Сток-Исток;
  • Диоды с управляемой проводимостью динисторы и тиристоры , используемые как переключатели, светодиоды и фотодиоды используемые как преобразователи э/м излучения в электрические сигналы или электрическую энергию или обратно;
  • Интегральная микросхема - комбинация активных и пассивных твердотельных элементов на одном или нескольких кристаллах в одном корпусе, используемые как модуль, электронная схема в аналоговой и цифровой микроэлектронике.

Примеры использования

Примеры использования твердотельных приборов в электронике:

  • Умножитель напряжения на выпрямительном диоде;
  • Умножитель частоты на нелинейном диоде;
  • Эмиттерный повторитель (напряжения) на биполярном транзисторе;
  • Коллекторный усилитель (мощности) на биполярном транзисторе;
  • Эмулятор индуктивности на интегральных микросхемах, конденсаторах и резисторах;
  • Преобразователь входного сопротивления на полевом или биполярном транзисторе, на интегральной микросхеме операционного усилителя в аналоговой и цифровой микроэлектронике;
  • Генератор электрических сигналов на полевом диоде, диоде Шоттки, транзисторе или интегральной микросхеме в генераторах сигналов переменного тока;
  • Выпрямитель напряжения на выпрямительном диоде в цепях переменного электрического тока в разнообразных устройствах;
  • Источник стабильного напряжения на стабилитроне в стабилизаторах напряжения;
  • Источник стабильного напряжения на выпрямительном диоде в схемах смещения напряжения база-эмиттер биполярного транзистора;
  • Светоизлучающий элемент в осветительном приборе на светодиоде ;
  • Светоизлучающий элемент в оптоэлектронике на светодиоде ;
  • Светоприёмный элемент в оптоэлектронике на фотодиоде ;
  • Светоприёмный элемент в солярных панелях солярных электростанций;
  • Усилитель мощности на биполярном или полевом транзисторе, на интегральной микросхеме, Усилитель мощности в выходных каскадах усилителей мощности сигналов, переменного и постоянного тока;
  • Логический элемент на транзисторе, диодах или на интегральной микросхеме цифровой электроники;
  • Ячейка памяти на одном или нескольких транзисторах в микросхемах памяти;
  • Усилитель высокой частоты на транзисторе;
  • Процессор цифровых сигналов на интегральной микросхеме цифрового микропроцессора;
  • Процессор аналоговых сигналов на тразисторах, интегральной микросхеме аналогового микропроцессора или на операционных усилителях ;
  • Периферийные устройства компьютера на интегральных микросхемах или транзисторах;
  • Входной каскад операционного или дифференциального усилителя на транзисторе;
  • Электронный ключ в схемах коммутации сигналов на полевом транзисторе с изолированным затвором;
  • Электронный ключ в схемах с памятью на диоде Шоттки.

Основные различия аналоговой и цифровой электроники

Поскольку в аналоговых и цифровых схемах информация кодируется по-разному, у них отличаются и процессы обработки сигналов. Следует при этом заметить, что все операции, которые могут быть совершены над аналоговым сигналом (в частности, усиление, фильтрация, ограничение диапазона и т. п.) могут быть осуществлены и методами цифровой электроники и программного моделирования в микропроцессорах.

Основное различие аналоговой от цифровой электроники можно найти в наиболее характерных для той или иной электроники способах кодирования информации.

Аналоговая электроника использует простейшее пропорциональное одномерное кодирование - отражение физических параметров источника информации в аналогичные физические параметры электрического поля или напряжения (амплитуды в амплитуды, частоты в частоты, фазы в фазы и т. д.).

Цифровая электроника использует n-мерное кодирование физических параметров источника данных. Минимально в цифровой электронике используется двумерное кодирование: напряжение (ток) и моменты времени. Данная избыточность принята исключительно для гарантированной передачи данных с любым программируемым уровнем добавленных в устройстве шумов и искажений в исходный сигнал. В более сложных цифровых схемах используется методы программной микропроцессорной обработки информации. Методы цифровой передачи данных позволяют реально создавать физические каналы передачи данных абсолютно без потерь (без возрастания шумов и других искажений)

В физическом же смысле поведение всякой цифровой электронной схемы и всего устройства ничем не отличается от поведения аналогового электронного устройства или схемы и может быть описано теорией и правилами, описывающими функционирование аналоговых электронных устройств.

Шум

В соответствии со способом кодирования информации в аналоговых схемах они в существенно большей степени уязвимы к воздействию шума , нежели цифровые цепи. Малое изменение сигнала может внести значительные модификации в передаваемую информацию и в конечном счёте привести к её утрате; в свою очередь, цифровые сигналы принимают лишь одно из двух возможных значений, и для того, чтобы вызвать ошибку, помеха должна составлять примерно половину их общей величины. Это свойство цифровых схем может быть использовано для повышения устойчивости сигналов к помехам. Кроме того, противодействие шуму обеспечивается средствами восстановления сигналов на каждом логическом вентиле, которые уменьшают или ликвидируют помехи; такой механизм становится возможным благодаря квантованию цифровых сигналов . До тех пор, пока сигнал остаётся в пределах определённого диапазона значений, он ассоциируется с одной и той же информацией.

Шум является одним из ключевых факторов, влияющих на точность сигнала; в основном это шум, присутствующий в исходном сигнале, и помехи, вносимые при его передаче (см. Отношение сигнал-шум). Фундаментальные физические ограничения - к примеру, т. н. «дробовой » шум в компонентах - устанавливают пределы разрешения аналоговых сигналов. В цифровой электронике дополнительная точность обеспечивается использованием вспомогательных разрядов, характеризующих сигнал; их количество зависит от производительности аналого-цифрового преобразователя (АЦП) .

Сложность разработки

Аналоговые схемы сложнее разрабатывать, нежели сравнимые с ними цифровые; это одна из причин, по которым цифровые системы приобрели большее распространение, нежели аналоговые. Аналоговая схема разрабатывается вручную, и процесс её создания обеспечивает меньше возможностей для автоматизации . Следует, впрочем, заметить, что для взаимодействия с окружающей средой в той или иной форме цифровое электронное устройство нуждается в аналоговом интерфейсе . К примеру, у цифрового радиоприёмника имеется аналоговый предусилитель, который является первым звеном приёмной цепи.

Типология схем

В настоящее время сложно найти такую электронную схему, которая была бы полностью аналоговой. Сейчас в аналоговых цепях используются цифровые или даже микропроцессорные технологии, позволяющие увеличить их производительность . Такая схема обычно называется не аналоговой или цифровой, а смешанной. В некоторых случаях провести чёткое разграничение между непрерывными и дискретными схемами сложно - в силу того, что как те, так и другие включают в свой состав элементы и линейного, и нелинейного характера. Примером может послужить, допустим, компаратор : получая на входе непрерывный диапазон напряжения, он в то же время выдает на выходе лишь один из двух возможных уровней сигнала , подобно цифровой схеме. Похожим образом перегруженный транзисторный усилитель может приобрести свойства контролируемого переключателя, также имеющего два уровня выходного сигнала.

Цифровые схемы

К цифровым относятся схемы, основанные на некотором количестве дискретных уровней напряжения. Они представляют собой наиболее типичную физическую реализацию булевой алгебры и составляют элементную основу всех цифровых компьютеров. Термины «цифровая схема», «цифровая система» и «логическая схема» часто при этом рассматриваются как синонимичные. Для цифровых схем характерна, как правило, двоичная система с двумя уровнями напряжения, которые соответствуют логическому нулю и логической единице соответственно. Часто первый соотносится с низким напряжением, а вторая - с высоким, хотя встречаются и обратные варианты. Изучались также и тернарные логические схемы (то есть с тремя возможными состояниями), предпринимались попытки построения компьютеров на их основе. Помимо вычислительных машин, цифровые схемы составляют основу электронных часов и программируемых логических контроллеров (используемых для управления промышленными процессами); ещё одним примером могут служить

Когда говорят об электронной технике, то в воображении возникает представление о красивых, удобных установках и приборах, с которыми мы имеем дело в повседневной жизни. Действительно, трудно представить время, когда не было разнообразной аудио- и видео техники, компьютеров, электронных часов, электромузыкальных инструментов и т. п. Огромное количество электронной техники используется в разнообразных отраслях промышленности, радиотехнике, сельском хозяйстве, авиации, космонавтике, медицине, мореплавании и в военных разработках.

В настоящее время под электронной техникой понимают также приборы и устройства, основанные на электронных потоках и их взаимодействии с веществом и электромагнитными полями.

В основе электронных устройств лежат электронные приборы.

Электронные приборы - это элементарные электронные устройства, выполняющие определенные функции. Различают электровакуумные и твердотельные электронные приборы.

К вакуумным электронным приборам относят электронные лампы, электроннолучевые трубки и другие электровакуумные и газоразрядные приборы (магнетроны, фотоэлектронные умножители, электронно-оптические преобразователи и т.п.).

К твердотельным приборам и устройствам относят полупроводниковые диоды, транзисторы, тиристоры, светодиоды, фотодиоды, полупроводниковые лазеры, интегральные микросхемы, устройства формирования электрических импульсов тока и напряжения и др.

Под электронной техникой понимают также разнообразные электронные устройства, связанные с использованием элементарных электронных приборов, начиная от простых усилителей и заканчивая сложными вычислительными машинами. Особое место занимают электронные устройства, связанные с формированием, распознаванием и преобразованием радиосигналов. Их изучением и описанием занимается радиоэлектроника.

Характерной является область электроники, к которой относятся импульсные устройства и электронные устройства, связанные с цифровой и вычислительной техникой.

Специфичны и разделы электроники, посвященные методам исследования физических явлений, измерениям физических величин, характеристик и параметров электронных устройств, а также относящихся к ним электрических цепей и электромагнитных полей. Приборы, осуществляющие измерения параметров и исследования процессов, протекающих в электрических цепях и устройствах, называют электронными измерительными приборами.

Все это дает основание сделать вывод. что: » Электронная техника (электроника) - это область науки и техники, связанная с изучением и внедрения физических свойств, методов исследования и практики применения устройств, основанных на взаимодействии электронов с электрическими и магнитными полями в вакууме или твердом теле.»

Элементы электронной техники -- это выпускаемые промышленностью электронные приборы и устройства, выполняющие определенные функции. Элементы электронной техники являются как бы кирпичиками, из которых конструируются более сложные электронные устройства. Базовыми, или основными элементами электронной техники являются резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы, микросхемы и т.п

Активные элементы электронной техники (светодиоды, лазеры, оптроны, управляющие микросхемы) также называют электронными элементами, подчеркивая возможность выполнения ими определенных функций.

Элементная база электронной техники -- это основной набор электронных элементов, используемых в промышленном производстве сложной электронной аппаратуры на данном историческом этапе.

Аналоговая электроника -- это электронная техника, работающая с непрерывными сигналами (непрерывно меняющимися напряжениями и токами). К устройствам аналоговой электроники относятся усилители, смесители, преобразователи частоты, фильтры, стабилизаторы напряжения, тока, частоты, а также генераторы гармонических колебаний.

Импульсная электроника -- это электронная техника, работающая с импульсными сигналами (одиночными импульсами напряжения и тока или последовательностями импульсов). Примерами импульсных устройств являются импульсные усилители и генераторы, преобразователи напряжение -- частота и т.п.

Цифровая электроника -- это электронная техника, работающая с отдельными (дискретными) значениями напряжений (токов, частот), представленных в виде цифр. К устройствам цифровой электроники относятся логические устройства, оперирующие с сигналами 0 и 1, аналогово-цифровые и цифроаналоговые преобразователи, микропроцессоры, персональные вычислительные машины, сложные вычислительные устройства. Цифровая электроника тесно связана с импульсной техникой, так как сигналы в ней передаются последовательностями импульсов.

Вся линейка электронной техники зависит от применяемой элементной базы, развитию которой посвящены труды многих ученых, их исследований и изобретений. Путь развития электронной техники условно можно разбить на несколько этапов, начало которых ведется от момента открытия электричества и его дальнейшего изучения.

Целью данной работы является проследить этот путь более детально, ознакомиться с азами работы электронных устройст и приборов, их появления в процессе исследований различных свойств электричества и явлений учеными и физиками разных эпох.